二次電子像によるC-AFM抵抗書き込み領域識別技術の適用によるReRAM動作機構の解明(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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NiO膜にC-AFMを用いて高抵抗状態及び低抵抗状態を書き込み,上部電極に妨げられることなくSEM及びEPMAによる観察・分析を行った.書き込み領域は抵抗状態(高抵抗又は低抵抗)に依らず二次電子像のコントラストの差異として識別が可能であり,周囲の領域に比べて二次電子効率が低いことが分かった.この結果はNiO膜内部の電気伝導度が書き込み前に比べて増加したことを示唆する.二次電子像により書き込み領域が識別可能であるという事実を利用することにより,書き込み領域を絞り込むためのエッチング処理等を必要とせず,各分析の適用が可能となった.
- 2009-11-27
著者
-
岸田 悟
鳥取大学
-
岸田 悟
鳥取大学工学部電気電子工学科
-
木下 健太郎
鳥取大学大学院工学研究科
-
岸田 悟
鳥取大学大学院工学研究科
-
木下 健太郎
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
牧野 達也
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
依田 貴稔
鳥取大学電気電子工学科
-
土橋 一史
鳥取大学電気電子工学科
-
岸田 悟
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
土橋 一史
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
依田 貴稔
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
岸田 悟
鳥大工
-
岸田 悟
鳥取大 大学院工学研究科
-
岸田 悟
鳥取大学電子ディスプレイ研究センター
-
依田 貴稔
鳥取大学工学部電気電子工学科
-
木下 健太郎
鳥取大学
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