高周波マグネトロンスパッタリング法におけるPb(Zr,Ti)O_3膜のターゲット依存性
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概要
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We deposited Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) films on MgO(100) substrates at 440°C with sinter or powder target and investigated the effects of films of targets on the PZT film growth. The PZT films with (101)-orientation where they hardly included impurity phases were deposited by the use of the sinter target. The composition of the film was approximately a stoichiometry, and the growth rate deposited with the sinter targets was higher than that with the powder targets.
- 日本真空協会の論文
- 2008-03-20
著者
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