ReRAMの物性評価と基本メモリ特性の制御(シリコン関連材料の作製と評価)

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概要

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反応性イオンエッチングによってNiO膜に欠陥を導入することでReRAMフィラメントの形成が可能であることが明らかになった。これによりフォーミングを必要とせず、リセット過程からスタートするReRAMの提供が可能である。フォーミング過程を経ることなく形成されたこのフィラメントの電気特性を詳細に調査した結果、リセット電流が低抵抗状態の抵抗の逆数に比例することが明らかになった。この関係はNiOの膜厚やスパッタ時の基板加熱温度に依らない普遍的なものであり、リセット電流及びそのばらつき低減の指針を与える。更に、フォーミングを経ずに形成されたフィラメントは、最初のリセットで自身を構成する欠陥が完全に修復して消滅するものと、その後も継続的にスイッチングを繰り返すものとに大別されることが示唆された。
2010-12-10

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