微細領域に閉じ込められたReRAMフィラメントのメモリ特性(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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抵抗変化型メモリ(ReRAM)実用化の観点から微細セルのメモリ特性を明らかにすることが重要である. しかし, 実際にReRAMの適用が期待される20 nm以下の微細メモリの作製が現状では技術的に困難である. 本研究ではAtomic Force Microscope(AFM)のカンチレバー先端にReRAM構造を作り込み, チップ先端の電界集中を利用することで, 実効面積の小さなメモリセルをリソグラフィ及びエッチングを用いることなく作製する手法を確立した. また, 配線容量及び抵抗を制御したPtライン電極を用いることでリセット電流の制御が可能となり, 微細セルの測定手法が確立された. 本素子の実効面積はカンチレバー先端の電界集中によって20 nm以下になることが電磁場シミュレーションによって示された. 下部電極の取り外しが可能である構造的なメリットを活かし, セットの際に電極に酸素或いは酸素イオンを蓄えることを要求するタイプのモデルを否定する実験結果を得た.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-11-30
著者
-
岸田 悟
鳥取大学
-
木下 健太郎
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
岸田 悟
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
岸田 悟
鳥取大学電子ディスプレイ研究センター
-
福原 貴博
島取大学大学院
-
福原 貴博
鳥取大学大学院
-
木下 健太郎
鳥取大学
-
高 相圭
鳥取大学
-
澤居 優圭
鳥取大学
-
福原 貴博
鳥取大学
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