BaTiO3 薄膜の自立化に伴う特性変化
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Estimating intrinsic electric properties of freestanding BaTiO3 (BTO)/Pt films had been prevented due to leakage current caused by insufficient insulation of the BTO film. This poor insulation is attributed to difficulty in preparation of Pt foils with the flat surface. The present study showed that the flatness of the surface of Pt foils is improved by thinning the carbon (C) buffer layer placed between the Pt layer and Si substrate in Pt/C/Si structure, where the C layer is ablated by annealing in the ambient. By thinning the thickness of the C layer from 166 to 66 nm, the leakage current at 86 kV/cm was drastically improved by more than four orders in magnitude from 1×10−3 A/cm2 to 2×10−8 A/cm2.
著者
-
木下 健太郎
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
吉田 大一郎
鳥取県産業技術センター
-
高橋 智一
鳥取県産業技術センター
-
岸田 悟
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
木下 健太郎
鳥取大学工学部
-
三浦 寛基
鳥取大学工学部
関連論文
- ニューラルネットワークを用いた胸部X線画像の異常検出システム (ニューロコンピューティング)
- 声紋による個人認証システムの構築
- 多元高周波マグネトロンスパッタ法による高品質Bi_2Sr_2CaCu_2O_y超伝導薄膜の作製
- Heガスを用いたBi_2Sr_2Ca_Cu_nO_yスパッタ薄膜の組成制御
- 堆積部位に磁場を印加しつつ堆積した高周波マグネトロンスパッタ法によるBi_2Sr_2Ca_Cu_nO_y超伝導薄膜の作製
- 磁場印加型高周波マグネトロンスパッタ法によるBi系超伝導薄膜の作製
- 階層型ニューラルネットワークを用いた声紋による個人認証システムの構築
- B-18-2 ニューラルネットワークを用いた声紋による個人認証システムの構築(B-18.バイオメトリクス・セキュリティ,一般講演)
- 音声による個人認証システムの構築
- GaドープZnO薄膜における不揮発性抵抗変化現象の成膜雰囲気依存性
- 大面積透明フレキシブルオールGaドープZnO抵抗変化メモリ(ReRAM)の作製と評価
- フォーミングを必要としない抵抗変化メモリ(ReRAM)の作製に関する研究
- 高周波マグネトロンスパッタ法によるBaTiO_3/Pt自立膜の作製と評価
- ニューラルネットワークを用いた高速フーリエ変換前処理法における指紋照合システムの構築
- 鳥取大学工学部電気電子工学科における教育改革と評価
- ニューラルネットワークを用いた指紋照合システムの性能の改善
- 指紋による個人認証へのニューラルネットワークの適用(音声・音響情報システム及び一般)
- ニューラルネットワークを用いた指紋照合システム
- 点字翻訳へのニューラルネットワークの適用
- ニューラルネットワークを用いた指紋照合システムの構築
- NiOを用いた抵抗変化型メモリ(ReRAM)の結晶性とメモリ特性
- BaTiO_3自立薄膜におけるクラック密度の低減と配向性の成長基板温度依存性
- ニューラルネットワークの化学分析への適用
- Ba_Rb_xBiO_yスパッタ薄膜の作製
- 種々の雰囲気におけるBi_2Sr_2CaCu_2O_y 単結晶表面の加熱処理効果
- 化学分析における自己組織化マップ(SOM)の応用
- 高周波マグネトロンスパッタ法によるBaRbBiO薄膜の作製
- 清浄化したBi系単結晶のX線光電子分光による状態分析
- BaRbBiO超伝導セラミックスのX線光電子分光測定
- ニューラルネットワークの定量分析への適用
- 分析データへのニューラルネットワークの適用
- 自己組織化マップ(SOM)の化学データ分析への応用
- 電子分光法による酸化シリコン測定時のダメージについて
- 高周波マグネトロンスパッタ法によるバイアス印加時のBi_2Sr_2Ca_Cu_nO_y超伝導薄膜の作製
- X線光電子分光法で評価したBi_2Sr_2CaCu_2O_y(Bi系)超伝導体の清浄化
- プローブ結合型マイクロストリップ共振器法によるBi-Sr-Ca-Cu-Oウィスカの表面抵抗測定
- プローブ結合型マイクロストリップ線路共振器法による線状試料の表面抵抗測定の一検討
- 最近の分析装置に望むこと
- 二次電子像によるC-AFM抵抗書き込み領域識別技術の適用によるReRAM動作機構の解明 (シリコン材料・デバイス)
- LinuxによるUSBデバイスドライバ作成と制御インタフェース開発
- 複数パソコンの並列処理による演算高速化手法
- ワンチップマイコンによる遠隔計測手法の検討
- 非接触計測技術に関する研究 光音響効果を利用した内部欠陥検出手法の検討(第3報)
- A-11-6 半導体レーザを利用した非破壊検査手法の検討
- 自律移動ロボットの環境マップを用いた走行制御の検証
- 二輪駆動ロボットによる走行特性の定式化と走行制御アルゴリズムの検討
- エネルギー計測技術に関する研究--光音響効果を利用した内部欠陥検出手法の検討
- 次世代型植物計測センサによる植物管理合理化技術の開発(第2報)植物生育情報の画像化センサの試作
- ウェーブレット信号解析処理技術の応用に関する研究(第1報)信号解析環境の構築と衝撃性信号の解析
- カード型PCモジュール応用知的計測システム構築に関する研究 計測制御システム構築とネットワーク遠隔制御の実現
- 次世代型植物計測センサによる植物管理合理化技術の開発
- 指紋による個人認証へのニューラルネットワークの適用(音声・音響情報システム及び一般)
- 指紋による個人認証へのニューラルネットワークの適用(音声・音響情報システム及び一般)
- 技術レポート 電子プローブマイクロアナライザ(EPMA)による標準サンプルの定性、定量分析
- He-O_2ガスを用いた高周波マグネトロンスパッタ法によるBi-Sr-Ca-Cu-O薄膜の作製
- ニューラルネットワークを用いた胸部X線画像の異常検出システム
- ニューラルネットワークを用いた声紋認証システムにおける入力層ユニット数の効果
- ReRAMの物性評価と基本メモリ特性の制御 (シリコン材料・デバイス)
- 強磁性体/超伝導体構造の製作とその特性に関する研究
- 高周波マグネトロンスパッタリング法におけるPb(Zr,Ti)O_3膜のターゲット依存性
- マニューシャ法により得られた指紋の特徴点とニューラルネットワーク用いた認証システムの構築
- 80K相Bi系バルク単結晶のXPS測定
- 不純物を添加したBi系超伝導単結晶のXPS測定
- 二次電子像によるC-AFM抵抗書き込み領域識別技術の適用によるReRAM動作機構の解明(シリコン関連材料の作製と評価)
- Bi-Sr-Ca-Cu酸化物超電導体へのPb酸化物添加効果
- Bi-Sr-Ca-Cu酸化物超伝導体表面への電極形成
- Bi系酸化物超伝導セラミックスへの電極形成
- 距離素子を用いた階層型ニューラルネットワーク
- Kohonenモデルにおける側方相互作用と近傍形状についての考察
- 非接触エネルギー計測技術に関する研究 光音響効果を利用した内部欠陥検出手法の検討(第2報)
- 知的電子制御技術者の福祉分野への応用に関する研究 視覚障害者支援音声情報案内システム装置の開発
- 胸部X線画像の異常位置検出へのニューラルネットワークの適用 (ニューロコンピューティング)
- マルチステップニューラルネットワークを用いた声紋認証システムの構築 (ニューロコンピューティング)
- 原子間力顕微鏡を用いたReRAMフィラメントの物性解析 (集積回路)
- 二元系遷移金属酸化物ReRAMにおける各抵抗状態の相関関係の分析 (集積回路)
- フォーミングフリー抵抗変化型メモリにおけるリセット電流と初期抵抗値の普遍的な関係
- 原子間力顕微鏡を用いた遷移金属酸化物におけるメモリ効果の機構解明 (表面分析研究会 第36回研究会 講演資料)
- 銅酸化物高温超伝導体単結晶を用いた抵抗変化メモリのスイッチングメカニズム (第30回表面科学学術講演会特集号(2))
- 遷移金属酸化物における抵抗スイッチング現象と二次電子放出効率との相関関係 (第30回表面科学学術講演会特集号(2))
- 二次電子像によるC-AFM抵抗書き込み領域識別技術の適用によるReRAM動作機構の解明
- フォーミングフリー抵抗変化型メモリにおけるリセット電流と初期抵抗値の普遍的な関係
- 胸部X線画像の異常位置検出へのニューラルネットワークの適用
- マルチステップニューラルネットワークを用いた声紋認証システムの構築
- 二元系遷移金属酸化物ReRAMにおける各抵抗状態の相関関係の分析(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- ペロブスカイト酸化物系ReRAMのスイッチングメカニズム(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 原子間力顕微鏡を用いたReRAMフィラメントの物性解析(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- HfO_2-CB-RAMの基本メモリ特性(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- ReRAMの物性評価と基本メモリ特性の制御(シリコン関連材料の作製と評価)
- 銅酸化物高温超伝導体単結晶を用いた抵抗変化メモリのスイッチングメカニズム
- 遷移金属酸化物における抵抗スイッチング現象と二次電子放出効率との相関関係
- HfO_2-CB-RAMの基本メモリ特性(集積エレクトロニクス)
- ニューラルネットワークを用いた肺野X線像の異常陰影検出システムの高性能化
- 胸部X線画像の異常検出システムの性能に及ぼすニューラルネットワークの入力層ユニット数の影響
- BaTiO薄膜の自立化に伴う特性変化
- 遷移金属酸化物抵抗変化メモリ(ReRAM)におけるフィラメント分布と動作特性の関係
- BaTiO3 薄膜の自立化に伴う特性変化
- BaTiO_3薄膜の自立化に伴う特性変化
- RF マグネトロンスパッタリング法によるBaTiO3 薄膜の低温堆積と評価
- 微細領域に閉じ込められたReRAMフィラメントのメモリ特性(シリコン関連材料の作製と評価)
- HfO2-Conducting-Bridge memoryにおけるリセットパラメータの相関関係(シリコン関連材料の作製と評価)