銅酸化物高温超伝導体単結晶を用いた抵抗変化メモリのスイッチングメカニズム
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概要
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- 2011-07-10
著者
-
岸田 悟
鳥取大学工学部電気電子工学科
-
木下 健太郎
鳥取大学大学院工学研究科
-
岸田 悟
鳥取大学大学院工学研究科
-
木下 健太郎
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
岸田 悟
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
岸田 悟
鳥取大学大学院 工学研究科
-
花田 明紘
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
岸田 悟
鳥大工
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岸田 悟
鳥取大 大学院工学研究科
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岸田 悟
鳥取大学電子ディスプレイ研究センター
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島取大学大学院
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島取大学大学院
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花田 明紘
鳥取大学大学院
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松原 勝彦
鳥取大学大学院
-
福原 貴博
鳥取大学大学院
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