原子間力顕微鏡を用いたReRAMフィラメントの物性解析(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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原子間力顕微鏡(AFM)を用いた抵抗書き込み技術は,従来の分析技術の適用が可能な太いフィラメントを提供し,抵抗変化メモリ(ReRAM : Resistive Random Access Memory)における抵抗変化機構解明のブレークスルーとなり得る技術として注目されている.本研究により,走査型電子顕微鏡(SEM)でNiO薄膜におけるAFM抵抗書き込み領域を観察した結果,抵抗の変化は試料の表面近傍で生じており,書き込まれた抵抗値と二次電子像におけるコントラストの間に相関があることが明らかになった.更に,AFM書き込み後のNiO薄膜に低温べーク処理及び低エネルギー電子線照射を施した結果,この抵抗変化現象が低エネルギーで緩和される欠陥誘起の格子歪と密接な関連を持つことが示唆された.
- 2011-04-11
著者
-
福島 整
物質・材料研究機構物質研究所
-
岸田 悟
鳥取大学工学部電気電子工学科
-
福島 整
科学技術庁無機材質研究所
-
岸田 悟
鳥取大学大学院工学研究科
-
木下 健太郎
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
依田 貴稔
鳥取大学電気電子工学科
-
木下 健太郎
鳥取大学電気電子工学科
-
福島 整
無機材研
-
福島 整
独立行政法人物質・材料研究機構 ナノ計測センター先端表面化学分析グループ
-
岸田 悟
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
田沼 繁夫
独立行政法人物質・材料研究機構 ナノ計測センター先端表面化学分析グループ
-
岩井 秀夫
独立行政法人物質・材料研究機構
-
岸田 悟
鳥大工
-
田沼 繁夫
独立行政法人物質・材料研究機構
-
福島 整
無機材質研究所
-
岸田 悟
鳥取大 大学院工学研究科
-
田沼 繁夫
物質・材料研究機構ナノ計測センター
-
岩井 秀夫
立命館大理工:アルバックファイ
-
岸田 悟
鳥取大学電子ディスプレイ研究センター
-
依田 貴稔
鳥取大学工学部電気電子工学科
-
岩井 秀夫
物質・材料研究機構
-
萩原 俊弥
物質・材料研究機構
-
福島 整
物質・材料研究機構
-
田沼 繁夫
物質・材料研究機構
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