RHEED法によるBi-Sr-Ca-Cu-O超伝導単結晶上でのAg薄膜のエピタキシャル成長観察
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概要
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80K相Bi-Sr-Ca-Cr-O超伝導単結晶 (001) 面の清浄面を熱処理 (300℃, 45分) により, 得ることができた.基板温度を室温としたとき, Ag (10〜100Å) は一部エピタキシャル成長を含みながら多結晶状態で島状成長した.10〜30ÅのAgの蒸着において, 熱処理 (330℃, 60分) により, 80K相Bi-Sr-Ca-Cu-O超伝導単結晶の清浄面を繰り返して得ることができた.基板温度を300℃とし, Agを10〜100Å蒸着した時は, Agは島状エピタキシャル成長した.またXPS測定によりAgの島状成長後の超伝導単結晶表面では, Cuの電子状態は2価の状態から1価の状態へと変化していると考えられる.<BR>この研究は, 一部平成2年度文部省重点領域研究科学研究費の補助のもとに行なわれた.
- 日本真空協会の論文
著者
-
徳高 平蔵
鳥取大学工学部電気電子工学科
-
岸田 悟
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
-
石原 永伯
鳥取大学工学部
-
西守 克己
鳥取大学工学部
-
山野 浩司
鳥取大学工学部電気電子工学科
-
坂根 知博
鳥取大学工学部電気電子工学科
-
徳高 平蔵
鳥取大学工学部
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