野内 亮 | 京大院工

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概要

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関連著者

• 野内 亮

  京大院工

• 野内 亮

  東北大WPI

• 谷垣 勝己

  東北大院理

• 野内 亮

  東北大院理

• 谷垣 勝己

  東北大WPI

• 谷垣 勝己

  東北大WPI-AIMR

• 谷垣 勝己

  東北大学大学院理学研究科

• 田邉 洋一

  東北大WPI

• 田邉 洋一

  東北大工

• 田邁 洋一

  東北大工

• 齊藤 達也

  東北大院理

• 神野 郁夫

  京大院工

• 三苫 伸彦

  東北大理

• 渡辺 裕樹

  東北大院理

• 谷垣 勝己

  東北大理

• 山田 直

  東北大理

• 重野 真徳

  東北大薬

• 池田 淳一

  東北大院理

• 下谷 秀和

  東北大院理

• 久保園 芳博

  岡山大学大学院自然科学研究科

• 平郡 諭

  兵庫県立大院物質理

• 平郡 諭

  東北大院理

• 平郡 諭

  東北大理

• 山口 雅彦

  東北大wpi:東北大薬

• 三苫 伸彦

  東北大院理

• 谷垣 勝己

  東北大院理:東北大WPI

• 野内 亮

  大阪府立大N2RC

• 平郡 諭

  姫路工大理

• 平群 諭

  東北大WPI

• 久保園 芳博

  岡山大院自然

• Xu Jingtao

  東北大WPI

• 吉川 英樹

  物材機構

• 江口 律子

  理研:spring-8

• 加地 由美子

  岡山大院自然

• 下谷 秀和

  東北大金研

• 大橋 浩史

  物材機構

• 伊藤 嘉昭

  京大化研

• 山岡 人志

  理研

• 栃尾 達紀

  (株)けいはんな

• Vlaicu A.

  物材機構

• 吉川 英樹

  科学技術庁無機材質研究所

• 菅原 保幸

  倉元製作所

• 及川 昌平

  倉元製作所

• 小谷 章雄

  高エ研:理研:spring-8

• 小谷 章雄

  理研

• 杉山 博行

  岡山大学大学院自然科学研究科

• 江口 律子

  岡山大院自然

• 小川 景子

  岡山大理

• 久保園 芳博

  岡山大・院自然

• 杉山 博行

  岡山大理:crest

• 加地 由美子

  岡山大学大学院自然科学研究科

• 小川 景子

  岡山大学大学院自然科学研究科

• 菅原 保幸

  岡山大学大学院自然科学研究科

• 小谷 章雄

  高工研:理研/spring-8

• 徐 静涛

  東北大WPI

• 秦 俊樹

  東北大院理

• 栃尾 達紀

  神戸大

• Khuong Huynh

  東北大理

• Gang Mu

  東北大理

• 浦田 隆広

  東北大理

• Jingtao Xu

  東北大WPI

• Mu Gang

  東北大理

• 杉山 博行

  岡山大

• 小谷 章雄

  理研:KEK

• 範 暁彦

  東北大WPI

• Khuong Hyuh

  東北大理

• 山口 雅彦

  東北大薬

• 野内 亮

  阪府大N2RC

• 谷本 敬明

  阪府大N2RC

• 前瀧 聡

  京大院工

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著作論文

• 23aGS-8 グラフェンFETにおける金属電極からの電荷移動効果II(23aGS グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pGS-12 有機単結晶貼り合わせ界面における伝導層II(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aYE-6 グラフェンFETにおける金属電極からの電荷移動効果(グラフェン電子物性(伝導特性),領域7,分子性固体・有機導体)
• 27aYD-9 有機単結晶貼り合わせ界面における伝導層(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 12aWH-9 in situ 抵抗測定による C_-貴金属界面における相対的電子移動量の見積もり II(フラーレン, 領域 7)
• 28aWN-3 in situ抵抗測定によるC_-貴金属界面における相対的電子移動量の見積もり(フラーレン固体物性)(領域7)
• 22pXG-11 伝導性 C_ 単分子層の抵抗測定
• 23pRA-7 グラフェンFET特性に対する短チャネル化の効果(23pRA グラフェン,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pTN-12 有機単結晶/電極界面における電荷注入障壁のスイッチング(28pTN 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aTN-6 有機ヘテロ界面における電荷移動と伝導層の形成(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aTN-5 高誘電固体絶縁膜を用いた有機芳香族FETの基本特性(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pTE-10 グラフェンへの電極接触抵抗のゲート電圧依存性(21pTE 領域7,領域4合同 グラフェン(伝導特性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aTG-6 有機電界効果トランジスタの負性トランスコンダクタンス(22aTG 発光/電界効果デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22aGM-3 鉄ニクタイド化合物Ba(Fe_Ru_xAs)_2におけるディラックコーンへのRu置換効果(22aGM 鉄砒素系(122系巨視的特性:伝導・磁化・比熱),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 23aPS-105 Pr@C_とCe@C_の共鳴X線発光分光 : 電荷移動サテライト線の観測(23aPS 領域8ポスターセッション(磁性(f電子系)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 22pTG-12 電極表面修飾層を用いた電荷注入障壁の外場による変調(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pYF-2 有機電気二重層トランジスタにおける接触抵抗の異常特性(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pYF-2 有機電気二重層トランジスタにおける接触抵抗の異常特性(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 24pSB-1 表面修飾したグラフェンの電子輸送特性(24pSB 領域7,領域4合同 グラフェン(構造・物性),領域7(分子性固体・有機導体))
• 19aEA-5 トポロジカル絶縁体Bi_Sb_xTe_Se_yにおける有機-無機界面を利用したキャリア制御(19aEA トポロジカル絶縁体(Bi_2Se_3とその関連系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18pFH-7 原子膜材料への電極接合(18pFH 領域7,領域8,領域4合同シンポジウム,主題:原子膜が拓く新たな電子系と電気的特性および応用展開,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 18pFH-7 原子膜材料への電極接合(18pFH 領域7,領域8,領域4 合同シンポジウム 主題:原子膜が拓く新たな電子系と電気的特性および応用展開,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aXP-1 電極表面修飾単分子層の構造変化に伴う電荷注入障壁の可逆的変調の機構(27aXP 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 6pSE-8 C_金属膜のin-situ抵抗測定(フラーレン,領域7)

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