加地 由美子 | 岡山大学大学院自然科学研究科
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概要
関連著者
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加地 由美子
岡山大院自然
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加地 由美子
岡山大学大学院自然科学研究科
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岡山大学大学院自然科学研究科
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神戸 高志
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岡山大学大学院自然科学研究科
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赤池 幸紀
岡山大院自然
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及川 昌平
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小川 景子
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横谷 尚睦
岡山大院自然
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脇田 高徳
岡山大院自然
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岡山大院自然
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脇田 高徳
東北大院理:東大物性研
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平井 正明
岡山大院自然:岡山大理界面
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横谷 尚睦
岡山大院自然:jst-crest:岡山大理界面
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村岡 祐治
岡山大院自然:jst-crest:岡山大理界面
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岡崎 宏之
岡山大院自然:jst-crest
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河相 暢幸
岡山大理
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中田 秀平
岡山大理
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菅原 保幸
(株)倉元製作所
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岩渕 修
(株)倉元製作所
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菅原 保幸
倉元製作所
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伊藤 彰夫
倉元製作所
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河相 暢幸
岡山大院自然
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三橋 了爾
岡山大院自然
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藤原 明比古
JASRI, SPring-8
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横谷 睦尚
岡大院自然
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小川 景子
岡山大理
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後藤 秀徳
岡山大院自然
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藤原 明比古
JASRI
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辛 埴
東大物性研
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室 隆桂之
JASRI
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神戸 高志
岡大院自然
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池田 直
岡大院自然
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加藤 啓多
岡山大学理学部物理
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三田村 洋希
岡山大院自然
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池田 直
岡山大院自然
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谷垣 勝己
東北大院理
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為則 雄祐
JASRI, SPring-8
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野内 亮
東北大WPI
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菅 滋正
大阪大学大学院基礎工学研究科
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室 隆桂之
財団法人高輝度光科学研究センター
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石田 行章
東大物性研
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脇田 高穂
Jst-crest:岡山大理界面
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脇田 高徳
岡山大院自然:jst-crest
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久保園 芳博
岡山大自然
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室隆 佳之
JASRI
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加藤 啓多
岡山大院自然
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古村 紀子
岡山大院自然
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岡本 秀毅
岡山大院自然
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伊藤 彰夫
(株)倉元製作所
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及川 昌平
(株)倉元製作所
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藤原 明比古
JAIST
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為則 雄祐
Jasri
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室 隆桂之
高輝度光科学研究センター
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為則 雄祐
Jasri/spring-8
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鴻池 光一朗
阪大基礎工
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室 桂隆之
JASRI SPring-8
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金井 要
岡山大学異分野融合先端研究コア
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鴻池 光一郎
阪大基礎工
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野内 亮
京大院工
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Sakita Shigenobu
Department Of Quantum Matter Adsm Hiroshima University
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脇田 高徳
Jst-crest:岡山大理界面
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Senba S
Institute For Solid State Physics University Of Tokyo:riken
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Tamenori Y.
Tohoku Univ.
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森 竜雄
Nagoya Univ. Aichi Jpn
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小泉 健二
東大物性研
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金井 要
東理大理工
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谷垣 勝己
東北大学大学院理学研究科
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Shin Shik
Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo
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TAMENORI Y.
Japan Synchrotron Radiation Research Institute
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Mizokawa T
Univ. Tokyo Tokyo
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Shin S
The Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo
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長崎 祐也
岡山大学理学部物理
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Tamenori Y.
Jasri
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加地 由美子
岡山大自然
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江口 律子
岡山大自然
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佐藤 政博
(株)倉元製作所
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Matsuda T
Tokyo Metropolitan Univ. Tokyo Jpn
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江口 律子
岡山大学大学院自然科学研究科
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室隆 佳之
高輝度光科学研究センター(jasri Spring-8)
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室 隆桂之
Jasri/spring-8
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久保園 芳博
岡大院自然
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野内 亮
東北大院理
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長崎 祐也
岡大院自然
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加地 由美子
岡大院自然
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藤原 明比古
SPring-8/JASRI
著作論文
- 21aGR-10 光電子分光によるポタシウムドープピセンの電子状態(21aGR 分子性固体・高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pGS-9 ピセン薄膜FETデバイスのnチャネル動作(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pGS-10 種々の有機薄膜FETのイオン液体ゲートキャパシタによる低電圧駆動(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pGS-11 イオン液体を用いたC_およびpicene薄膜FETのESR測定(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aYD-3 光電子分光による芳香族多環縮合炭化水素ピセンの電子状態(新物質・新物性・超伝導I,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aYD-11 piceneならびに関連誘導体を使ったFETの特性(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aYD-2 有機芳香族分子電界効果トランジスタの低電圧駆動と界面制御(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 有機芳香族分子を使うエレクトロニクスと超伝導物性
- 29pYG-10 伝導性高分子電極を用いた有機薄膜FETの特性(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYG-8 仕事関数の異なる種々の金属ならびに導電性高分子をソース・ドレイン電極とするピセン薄膜FETの特性(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYG-10 伝導性高分子電極を用いた有機薄膜FETの特性(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29pYG-8 仕事関数の異なる種々の金属ならびに導電性高分子をソース・ドレイン電極とするピセン薄膜FETの特性(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24pRL-7 二次元拡張系芳香族分子に対するEDLキャパシタによる電界効果ドーピングと化学ドーピング(24pRL 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aRL-6 新規有機物質の正・逆光電子分光による電子状態の観測(26aRL 分子性固体・中性-イオン性転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pRL-9 一次元・二次元有機芳香族拡張系FETの特性(24pRL 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pRL-6 EDLキャパシタ有機芳香族薄膜・単結晶FETの温度依存性(24pRL 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24pRL-5 ゲート電極によるEDLキャパシタ・有機FETの特性制御(24pRL 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 有機分子性固体における電界効果キャリア注入と物性制御
- 28aTN-4 Picene単結晶を用いた有機FETの基本特性と物性制御(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aTN-5 高誘電固体絶縁膜を用いた有機芳香族FETの基本特性(28aTN 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTG-7 イオン液体を用いたpicene及び[7]phenacene膜FETのESR測定I(22aTG 発光/電界効果デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pTG-4 有機芳香族単結晶を用いたFETの基本特性と物性制御(22pTG 界面デバイス・有機表面界面,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTG-5 イオン液体を用いる電気二重層トランジスタと電気化学トランジスタ(22aTG 発光/電界効果デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))