川崎 菜穂子 | 岡山大院自然
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概要
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鈴木 雄太
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鈴木 雄太
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久保園 芳博
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岡山大院自然
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早川 弘毅
岡大院自然
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岡山大院自然
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岡山大院自然
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岡山大院自然
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岡山大院自然
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岡山大院自然
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岡大院自然
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東北大WPI
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真庭 豊
首都大理工
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脇田 高徳
東北大院理:東大物性研
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平井 正明
岡山大院自然:岡山大理界面
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横谷 尚睦
岡山大院自然:jst-crest:岡山大理界面
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村岡 祐治
岡山大院自然:jst-crest:岡山大理界面
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岡崎 宏之
岡山大院自然:jst-crest
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黒田 朋子
岡山大院自然
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早川 弘毅
岡山大院自然
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真栄田 大介
岡山大院自然
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河相 暢幸
岡山大理
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伊藤 彰夫
倉元製作所
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及川 昌平
倉元製作所
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真庭 豊
CREST-JST
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河相 暢幸
岡山大院自然
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永田 知子
岡山大院自然
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真庭 豊
首都大東京
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李 雪松
岡山大理
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三橋 了爾
岡山大理
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長野 高之
岡山大院自然
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横谷 睦尚
岡大院自然
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菅原 保幸
岡山大学大学院自然科学研究科
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JASRI
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大石 一城
理研仁科セ
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池田 直
岡大院自然
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加藤 啓多
岡山大学理学部物理
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三田村 洋希
岡山大院自然
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為則 雄祐
JASRI, SPring-8
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室 隆桂之
財団法人高輝度光科学研究センター
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脇田 高穂
Jst-crest:岡山大理界面
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脇田 高徳
岡山大院自然:jst-crest
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伊藤 孝
原子力機構先端研
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髭本 亘
原子力機構先端研
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室隆 佳之
JASRI
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加藤 啓多
岡山大院自然
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古村 紀子
岡山大院自然
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中田 秀平
岡山大理
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菅原 保幸
(株)倉元製作所
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伊藤 彰夫
(株)倉元製作所
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及川 昌平
(株)倉元製作所
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岩渕 修
(株)倉元製作所
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菅原 保幸
倉元製作所
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為則 雄祐
Jasri
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高輝度光科学研究センター
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岡山大院自然
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JASRI SPring-8
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岡山大院自然
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阪大院基礎工
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岡山大理
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野内 亮
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太田 洋平
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JST-CREST
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小西 敦
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慶応大院理工
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高口 豊
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岡山大院環境
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森本 祐
岡山大院環境
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Jst-crest:岡山大理界面
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髭本 亙
東工大理
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Tamenori Y.
Tohoku Univ.
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森 竜雄
Nagoya Univ. Aichi Jpn
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TAMENORI Y.
Japan Synchrotron Radiation Research Institute
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Mizokawa T
Univ. Tokyo Tokyo
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酒向 祐輝
岡山大学大学院 環境学研究科
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Tamenori Y.
Jasri
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Matsuda T
Tokyo Metropolitan Univ. Tokyo Jpn
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室隆 佳之
高輝度光科学研究センター(jasri Spring-8)
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室 隆桂之
Jasri/spring-8
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大石 一城
理研
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髭本 亘
原子力機構
著作論文
- 21aGR-10 光電子分光によるポタシウムドープピセンの電子状態(21aGR 分子性固体・高圧物性,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pGS-9 ピセン薄膜FETデバイスのnチャネル動作(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pGS-10 種々の有機薄膜FETのイオン液体ゲートキャパシタによる低電圧駆動(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22pGS-11 イオン液体を用いたC_およびpicene薄膜FETのESR測定(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 28aYD-3 光電子分光による芳香族多環縮合炭化水素ピセンの電子状態(新物質・新物性・超伝導I,領域7,分子性固体・有機導体)
- 29pYG-11 C_/ピセンpnヘテロ接合の形成と光照射効果(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYG-11 C_/ピセンpnヘテロ接合の形成と光照射効果(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aYD-11 piceneならびに関連誘導体を使ったFETの特性(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 27aYD-2 有機芳香族分子電界効果トランジスタの低電圧駆動と界面制御(界面・分子デバイス2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22aWF-4 価数秩序転移を示すRE_C_(RE=Sm,Eu)の磁性(22aWF フラーレン・その他,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYG-6 アルカリドープ芳香族多環縮合炭化水素化合物の超伝導(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYG-6 アルカリドープ芳香族多環縮合炭化水素化合物の超伝導(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21aRB-11 アルカンチオール修飾金電極を用いた有機電界効果トランジスタのヒステリシス(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21pRJ-2 アルカンチオール修飾金電極を用いた有機電界効果トランジスタの動作特性(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
- 29pYG-10 伝導性高分子電極を用いた有機薄膜FETの特性(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYG-8 仕事関数の異なる種々の金属ならびに導電性高分子をソース・ドレイン電極とするピセン薄膜FETの特性(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYG-10 伝導性高分子電極を用いた有機薄膜FETの特性(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29pYG-8 仕事関数の異なる種々の金属ならびに導電性高分子をソース・ドレイン電極とするピセン薄膜FETの特性(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 29pYG-7 絶縁膜界面ならびに電極界面の修飾によるピセンFETデバイスの特性変化(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pYG-7 絶縁膜界面ならびに電極界面の修飾によるピセンFETデバイスの特性変化(29pYG 領域7,領域8合同 界面デバイス,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 26pTG-3 有機薄膜電界効果トランジスタのトラップ準位と動作特性の相関(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26pTG-4 有機FETの電極-活性層界面の電子状態評価(有機FET・フラーレン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRB-6 スピンコート膜とLB膜を利用した有機FETデバイスの動作特性と制御(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aRB-10 FETデバイスにおける電極から有機活性層へのキャリア注入の定量評価(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)