Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl_2O_3/InSb MOSFET(機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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表面再構成制御エピタキシー法を用いてSi(111)基板上に直接成長した6-25nmのInSb薄膜をチャネルとしてMOSFETを作製した。この方法で成長したInSb層は基板に対し30度面内で回転することにより、格子不整合が約3%に緩和されている。そのため、これらの極薄InSb膜はpseudomorphic的な特性を示す。作製したMOSFETは良好なID-Vb特性を示した。さらに、実効移動度の膜厚依存性を検討し、臨界膜厚に近づく薄膜化により、移動度が向上することが実験的に示された.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-02-20
著者
-
水谷 孝
名古屋大学工学研究科
-
角田 梓
富山大学工学部
-
前澤 宏一
富山大学大学院理工学研究部
-
前澤 宏一
Ntt-lsi研究所
-
前澤 宏一
NTT LSI Laboratories
-
前澤 宏一
早大理工
-
森 雅之
富山大学理工学教育部:研究部
-
中山 幸二
富山大学大学院
-
宮崎 英志
名古屋大学工学研究科
-
水谷 孝
名古屋大学
-
宮崎 英志
名古屋大学
-
角田 梓
富山大学大学院理工学研究部
-
伊藤 泰平
富山大学大学院理工学研究部
-
安井雄 一郎
富山大学大学院理工学研究部
-
森雅 之
富山大学大学院理工学研究部
-
宮崎 英志
名古屋大学大学院工学研究科
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