質量輸送ウェハ融着法により形成した空気/半導体回折格子内蔵型DFBレーザ
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概要
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ウェハ融着法を用いて空気/半導体回折格子を内蔵したDFBレーザを作製しその特性を評価した. まず断面SEM観察より, 半導体内部に周期0.4μm, 深さ0.2μmの均一な回折格子を形成できていることを確認した. また融着界面において質量輸送現象が起こっていることが分かり, これによって良好なI-V特性が得られた. デバイスを評価した結果, 室温パルス条件において波長1.28μmでの単一縦モード動作を達成した. 発振閾値電流密度は約1.3kA/cm^2, 空気/半導体回折格子の結合係数は100cm^<-1>であると見積もられた. さらに高出力面発光動作 (7mW以上) を達成した. これらの結果より, 半導体内部に回折格子を埋め込む方法として, ウェハ融着法を用いることが有望であることが示され, 様々な応用が期待される.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-22
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