AlP/GaP単分子超格子のOMVPE成長
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概要
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(AlP)_n, (GaP)_n(n≦3)分子層超格子の作製を試みた。TBPを用いたOMVPE成長法と(NH_4)_2S_x基板前処理法とを組み合わせることにより、作製した超格子構造の界面の平均揺らぎを、δt=0.06MLを達成した。これにより、(AlP)_1/(GaP)_1超格子を初めて実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-19
著者
-
若原 昭浩
京都大学工学部電子物性工学教室
-
鍋谷 暢一
京都大学工学部
-
王 学論
京都大学工学部電気工学科
-
佐々木 昭夫
京都大学工学部電気工学教室
-
佐々木 昭夫
大阪電気通信大
-
佐々木 昭夫
京都大学工学部
-
佐々木 昭夫
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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