Si_<1-x>Ge_x/Si系不規則超格子のPL発光特性
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概要
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固体源MBE装置を用いてSiGe/Si不規則超格子を初めて成長し、低温でのPLスペクトルを測定した。PL特性は、井戸層のGe組成、超格子層の平均Ge組成、井戸層・障壁層の平均層厚の等しい通常の超格子(規則超格子)と比較検討を行った。PLスペクトル形状および温度依存症には規則超格子と比較して大きな差異は見られないが、PLピーク強度の増大が観測された。これは、AlAs/GaAs、AlP/GaP不規則超格子で見られる局在効果に比べて、本研究で作製したSi_<1-x>Ge_x/Si不規則超格子では、局在効果よりはキャリアの閉込め効果によって発光が強められているためと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-09
著者
-
蔵本 恭介
京都大学工学部電子物性工学教室
-
若原 昭浩
京都大学工学部電子物性工学教室
-
佐々木 昭夫
京都大学工学部電気工学教室
-
長谷川 利通
京都大学工学部電気工学教室
-
王 金國
京都大学工学部電気工学教室
-
佐々木 昭夫
大阪電気通信大
-
佐々木 昭夫
京都大学工学部
-
佐々木 昭夫
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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