規則,不規則半導体による発光性能の向上
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
原子配列を規則化または不規則化することによって,半導体の発光性能を向上し得ることを述べる.まず「不規則結晶半導体」の概念を紹介する.次いで各層厚を人工的に,不規則に変化させたAlAs/GaAs不規則超格子により,通常の規則超格子からの発光に比べて,77Kにて,少なくとも発光強度を500倍強めることができることを記す.AlP/GaP不規則超格子では,同じく通常の規則超格子に比べて,室温での電流注入で,約4.5倍の強い発光を観測し得ている.またAlGaAs/GaAs不規則量子細線からの発光強度増大の実験結果を紹介する.今後,更に興味ある課題として,自然形成量子ドットの不規則化に基づく発光の新しい特性について言及する.最後にGaInP/GaAs結晶において自然規則化に伴い,逆に不規則GaInP/GaAsより発光強度が増大することを述べる.またその物理的解釈を記す.
- 2002-02-01
著者
関連論文
- ZnSeの減圧OMVPEによる成長と特性評価 : VI/II原料供給比の影響
- ヨウ素輸送法によるIII-V族混晶のバルク結晶成長 : 気相成長
- 3W24 液晶を用いた赤外・可視像変換に関する基礎特性
- AlGaP/GaP短周期超格子の作製とその発光特性評価
- 電流注入発光によるGaAs基板上InAs初期成長層の評価 : 気相成長III
- 格子不整合系半導体層のヘテロエピタキシ-機構--InAs/GaAsとGe/Si (原子レベルでの結晶成長機構) -- (エピタキシ機構)
- AlP/GaP単分子超格子のOMVPE成長
- Si_Ge_x/Si(0
- Si_Ge_x/Si(0
- Si_Ge_x/Si系不規則超格子のPL発光特性
- TEAsによるGaAsの減圧OMVPE成長と白金触媒の効果 : エピタキシーII
- 液相エピタキシャル成長で発生する疑似成長層 : エピタキシー (LPE)
- InP基板上のIn_Ga_xAs混晶の結晶性とその成長依存性 : エピタキシー (LPE)
- 7)n型スメクティック液晶の大形表示(テレビジョン電子装置研究会(第91回)画像表示研究会(第50回))
- n型スメクティック液晶の大形表示
- 9)n型スメクティック液晶の電気熱光学効果と静止画大形表示への応用(テレビジョン電子装置研究会(第78回)画像表示研究会(第34回))
- 規則,不規則半導体による発光性能の向上
- InGaN単一量子井戸における双ピーク発光の成長温度依存性(レーザ・量子エレクトロニクス)
- 無添加量子井戸におけるサブバンド間光によるバンド間光の変調
- GaInN三元混晶の成長と組成不均一性
- プラズマアシスト OMVPE による GaN 成長
- 量子井戸のサブバンド間遷移を用いた超高速光制御光変調
- 2R19 液晶大形表示における熱書込み速さ
- 2R18 p型,n型ヌメクティック液晶の各種光学効果の実験的検討 : 静止画,動画同時表示への応用
- 7)液晶大形表示における熱書込み速さの検討(-画像変換装置-)((テレビジョン電子装置研究会(第84回)画像表示研究会(第42回))合同)
- 液晶大形表示における熱書込み速さの検討
- 3S08 n型ヌメクティック・コレステリック混合液晶の熱光学効果
- n型スメクティック液晶の電気熱光学效果と静止画大形表示への応用
- 連載講座 最近のセンサ技術(2)センサ技術の基礎 光センサ
- III-V族半導体結晶成長 : 化合物半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- ガン効果ダイオードから自己形成量子ドットヘ
- Diversity & Harmony と Uniformity & Homogeneity
- 光増幅の夢
- 半導体の量子効果
- 量子効果超高速光-光変調デバイス
- 常識からずれた研究
- 光の波長域での3次元フォトニック結晶の新しい実現法
- 半導体量子井戸のサブバンド間遷移を用いた超高速光非線形デバイス
- サブバンド間遷移短波長化のためのGaAs基板上InGaAs/AlAs量子井戸の研究
- 量子井戸の3準位を用いた光制御光変調 : 選択不純物添加による変調効率の向上
- 6)液晶による光偏向器(テレビジョン電子装置研究会(第78回)画像表示研究会(第34回))
- イオン打ち込みを利用したInGaAs/InAlAs量子井戸構造の混晶化
- 不規則超格子 - その新しい物性 -
- 不規則超格子 : その概念と光発生機構
- 特定研究「混晶エレクトロニクス」