AlGaP/GaP短周期超格子の作製とその発光特性評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
OMVPE法によりAIP, GaPおよびAlGaP/GaP短周期超格子を作製し、その発光特製を特性の評価を行った。作製した超格子の平均の界面揺らぎは0.7ML以下であり、界面急峻性は良い。ホトルミネセンスによる発光特性評価の結果、AlP_n/GaP_n(n【greater than or equal】4)超格子では超格子層からの発光が確認されたがn【less than or equal】3では明確な発光は見られなかった。AlGaP/GaP超格子ではAlP/GaP超格子と同様に励起子発光を確認した。以上の発光特性をもとに超格子の発光機構を考察した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-18
著者
-
佐々木 昭夫
京大・工
-
若原 昭浩
京都大学工学部電子物性工学教室
-
鍋谷 暢一
京都大学工学部
-
佐々木 昭夫
京都大学工学部電気工学教室
-
佐々木 昭夫
大阪電気通信大
-
佐々木 昭夫
京都大学工学部
-
佐々木 昭夫
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
関連論文
- ZnSeの減圧OMVPEによる成長と特性評価 : VI/II原料供給比の影響
- ヨウ素輸送法によるIII-V族混晶のバルク結晶成長 : 気相成長
- 3W24 液晶を用いた赤外・可視像変換に関する基礎特性
- 29p-YW-4 ヘテロエピタキシァル成長とその機構 : InAs/GaAsのTEM像、歪緩和、臨界膜厚
- AlGaP/GaP短周期超格子の作製とその発光特性評価
- 電流注入発光によるGaAs基板上InAs初期成長層の評価 : 気相成長III
- 格子不整合系半導体層のヘテロエピタキシ-機構--InAs/GaAsとGe/Si (原子レベルでの結晶成長機構) -- (エピタキシ機構)
- AlP/GaP単分子超格子のOMVPE成長
- GaSb上のAlGaSbおよびAlGaAsSbのLPE成長 : エピタキシー(LPE)
- Si_Ge_x/Si(0
- Si_Ge_x/Si(0
- Si_Ge_x/Si系不規則超格子のPL発光特性
- TEAsによるGaAsの減圧OMVPE成長と白金触媒の効果 : エピタキシーII
- 液相エピタキシャル成長で発生する疑似成長層 : エピタキシー (LPE)
- InP基板上のIn_Ga_xAs混晶の結晶性とその成長依存性 : エピタキシー (LPE)
- InP基板上のIn_Ga_xAs成長層とその厚さ方向の電気的特性
- InP基板上のIn_Ga_xAs成長層とその特性
- 3B20 液晶の電気熱光学効果とディスプレイへの応用
- 18-10 液晶の電気熱光学効果によるディスプレイ
- 18-9 液晶の電気熱光学効果
- 7)n型スメクティック液晶の大形表示(テレビジョン電子装置研究会(第91回)画像表示研究会(第50回))
- n型スメクティック液晶の大形表示
- 9)n型スメクティック液晶の電気熱光学効果と静止画大形表示への応用(テレビジョン電子装置研究会(第78回)画像表示研究会(第34回))
- 1A05 BBBAおよびその混合液晶の電気熱光学効果
- 規則,不規則半導体による発光性能の向上
- 13A05 液晶大形表示の赤外レーザ書き込み速さの改善
- InGaN単一量子井戸における双ピーク発光の成長温度依存性(レーザ・量子エレクトロニクス)
- 無添加量子井戸におけるサブバンド間光によるバンド間光の変調
- InP上のInGaAs選択LPE成長 : エピタキシー(LPE)
- InP基板上のIn_Ga_xAs(x>0.47)のLPE成長 : エピタキシー
- GaInN三元混晶の成長と組成不均一性
- プラズマアシスト OMVPE による GaN 成長
- 量子井戸のサブバンド間遷移を用いた超高速光制御光変調
- 2R19 液晶大形表示における熱書込み速さ
- 2R18 p型,n型ヌメクティック液晶の各種光学効果の実験的検討 : 静止画,動画同時表示への応用
- 7)液晶大形表示における熱書込み速さの検討(-画像変換装置-)((テレビジョン電子装置研究会(第84回)画像表示研究会(第42回))合同)
- 液晶大形表示における熱書込み速さの検討
- 3S08 n型ヌメクティック・コレステリック混合液晶の熱光学効果
- n型スメクティック液晶の電気熱光学效果と静止画大形表示への応用
- 2A08 常温反強誘電性液晶の電界印加に伴う組織変化
- 2B422 垂直配向反強誘電性液晶の応答特性
- 3B14 色素を溶解した半導体電極液晶セルの光起電力
- 3F320 反強誘電性液晶の電気光学履歴特性
- 3A07 ディッピング配向膜による強誘電性液晶の配向
- 4)ディッピングSiO_2膜による強誘電性液晶の配向(画像表示研究会)
- ディッピングSiO_2膜による強誘電性液晶の配向
- 2連F06 強誘電性液晶を含む混合系の熱光学特性
- 24p-B-5 格子不整合系半導体層のヘテロエピタキシー
- 連載講座 最近のセンサ技術(2)センサ技術の基礎 光センサ
- III-V族半導体結晶成長 : 化合物半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- ガン効果ダイオードから自己形成量子ドットヘ
- Diversity & Harmony と Uniformity & Homogeneity
- 光増幅の夢
- 半導体の量子効果
- 量子効果超高速光-光変調デバイス
- 常識からずれた研究
- 光の波長域での3次元フォトニック結晶の新しい実現法
- 半導体量子井戸のサブバンド間遷移を用いた超高速光非線形デバイス
- サブバンド間遷移短波長化のためのGaAs基板上InGaAs/AlAs量子井戸の研究
- 量子井戸の3準位を用いた光制御光変調 : 選択不純物添加による変調効率の向上
- 格子不整合系半導体層のヘテロエピタキシー(原子レベルでの結晶成長)
- クラスタイオンビーム蒸着法によるInSbおよびGaAs薄膜の作製
- 6)液晶による光偏向器(テレビジョン電子装置研究会(第78回)画像表示研究会(第34回))
- InAs自己形成量子ドット
- イオン打ち込みを利用したInGaAs/InAlAs量子井戸構造の混晶化
- 不規則超格子 - その新しい物性 -
- 不規則超格子 : その概念と光発生機構
- 特定研究「混晶エレクトロニクス」
- 混晶半導体のミクロの世界
- Sadao Adachi, Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds, John Wiley & Sons, New York and Chichester, 1992, xviii + 318p, 15.5×23.5cm
- 不規則超格子による発光 (新光源技術)
- 第34回電子材料会議(EMC)報告
- 第50回デバイス研究会議(DRC)報告
- 「人工構造半導体」と「人工構築半導体」考--半導体材料の将来動向を占う (近未来エレクトロニクス--その実現へのキ-テクノロジ-)
- 最近の液晶表示技術 (最新液晶テクノロジ-)
- 液晶センサ
- 光増幅
- 光増幅器への展望 (エレクトロニクス30周年記念特集)
- 1A02 液晶による光偏向
- エピタキシー機構総論(ヘテロエピタキシー機構)
- 結晶中の原子はどうして美しく並ぶ
- 論文概要(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- ディスプレイ開発のお国ぶり
- 1.高度情報用平板形ディスプレイ(JAPAN DISPLAY'83記念特集)
- ディスプレイ装置(最近の入出力端末機器)
- 液晶とそのセンサ
- タイトル無し