竹田 美和 | 京大・工

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概要

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関連著者

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 佐々木 昭夫

  京大・工

• 竹田 美和

  京大・工

• 高木 俊宜

  京大・工

• 高木 俊宜

  京都大学工学部

• 高木 俊宜

  京大・電子工学

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  大阪電気通信大

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  京都大学工学部電気工学科

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• 佐々木 昭夫

  大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所

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著作論文

• ヨウ素輸送法によるIII-V族混晶のバルク結晶成長 : 気相成長
• GaSb上のAlGaSbおよびAlGaAsSbのLPE成長 : エピタキシー(LPE)
• TEAsによるGaAsの減圧OMVPE成長と白金触媒の効果 : エピタキシーII
• 液相エピタキシャル成長で発生する疑似成長層 : エピタキシー (LPE)
• InP基板上のIn_Ga_xAs混晶の結晶性とその成長依存性 : エピタキシー (LPE)
• InP基板上のIn_Ga_xAs成長層とその厚さ方向の電気的特性
• InP基板上のIn_Ga_xAs成長層とその特性
• InP上のInGaAs選択LPE成長 : エピタキシー(LPE)
• InP基板上のIn_Ga_xAs(x>0.47)のLPE成長 : エピタキシー

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