金 秀光 | 名大工

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概要

• 加藤 俊宏の詳細を見る
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• 名大工の論文著者

関連著者

• 宇治原 徹

  名古屋大学大学院工学研究科

• 中西 彊

  名古屋大学・大学院理学研究科

• 中川 靖英

  名古屋大学・大学院理学研究科

• 金 秀光

  名大工

• 宇治原 徹

  名大工

• 山本 将博

  KEK

• 竹田 美和

  名古屋大学シンクロトロン光研究センター

• 宇治原 徹

  名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻

• 中西 彊

  名古屋大学 理学部 理博

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 山本 将博

  名古屋大学理学研究科

• 金 秀光

  名古屋大学工学研究科

• 谷奥 雅俊

  名古屋大学工学研究科

• 渕 真悟

  名古屋大学工学研究科

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 渕 真悟

  名古屋大学大学院工学研究科

• 宇治原 徹

  名古屋大学 大学院工学研究科 マテリアル理工学専攻材料工学分野

• 山本 尚人

  KEK

• 奥見 正治

  名古屋大学・大学院理学研究科

• 真野 篤志

  名古屋大学・大学院理学研究科

• 山本 尚人

  名大工

• 安江 常夫

  大阪電通大

• 越川 孝範

  大阪電通大

• 坂 貴

  大同工大

• 加藤 俊宏

  大同特殊鋼

• 堀中 博道

  大阪府立大学工学研究科

• 越川 孝範

  大阪電通大エレクトロニクス基礎研

• 坂 貫

  大同特殊鋼株式会社技術開発研究所

• 堀中 博道

  大阪府立大学工学研究科電子物理工学分野

• Horinaka Hiromichi

  Osaka Prefecture Univ. Sakai Jpn

• Horinaka Hiromichi

  Department Of Physics & Electronics Osaka Prefecture University

• 越川 孝範

  大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所

• 奥見 正治

  名古屋大学 理学部

• 安江 常夫

  大阪電通大工

• 山本 尚人

  名古屋大学大学院 工学研究科

• 山本 尚人

  名古屋大学シンクロトロン光研究センター

• 越川 孝範

  大阪電気通信大学

• 安江 常夫

  大阪電気通信大学

• 中西 彊

  名古屋大学大学院理学研究科

• 前多 悠也

  名古屋大学工学研究科

• 坂 貴

  大同工業大学工学部

• 堀中 博道

  大阪府立大学

• 加藤 鷹紀

  名古屋大学大学院工学研究科

• 酒井 良介

  名古屋大学大学院理学研究科

• 前田 義紀

  名古屋大学大学院工学研究科

• 中西 彊

  名古屋大学理学研究科

• 桑原 真人

  名古屋大学・大学院理学研究科

• 竹田 美和

  名大工

• 鈴木 雅彦

  大阪電通大

• 孝橋 照生

  日立中研

• 大嶋 卓

  日立中研

• 堀中 博道

  阪府大工

• 堀中 博道

  大阪府立大学大学院工学研究科

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著作論文

• 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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