実験室系のX線回折装置を使用したX線CTR測定による半導体ヘテロ構造界面評価

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概要

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X線CTR散乱測定は、1原子層に至る薄膜半導体ヘテロ成長層の表・界面を評価し得る優れた測定手段である。しかしその測定には、放射光レベルの高強度のX線源を必要とした。本研究では、実験室レベルのX線源を使用した回折測定装置でのX線CTR散乱測定の可能性を検討し、実際に応用した。結果として、1)測定に日単位の時間が必要となるが、データに遜色はない、2)S/N比で見ると回折測定装置を使用た測定の方が優れている、ことが明らかとなった。測定に長時間を要する点は、現状の放射光のビームタイムの制限を考えると、特に欠点とは考えられない。得られたデータの解析結果は放射光を利用た結果とほぼ一致する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-05-24

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