ヘテロ層厚の異なるInP/InGaAs/InP構造中の組成分布のX線CTR散乱法による評価

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• 放射光を用いたCTR散乱の測定・解析により、従来困難であったIII-V族半導体ヘテロ界面での組成分布の1原子層単位での解析を行った。本研究では、OMVPE法で作製した、ヘテロ層厚の異なるInP/InGaAs/InP構造を対象とし、InP/InGaAs/InP構造の界面が急峻に形成されておらず、Ga、As原子の分布のピーク位置さえも一致していない可能性を示す結果を得た。

• 1997-10-08

著者

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 田渕 雅夫

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 田淵 雅夫

  名大工

• 松本 信弘

  名古屋大学工学研究科材料機能工学専攻

• 濱松 宏武

  名古屋大学工学研究科材料機能工学専攻

• 田渕 雅夫

  名古屋大学

関連論文

• 日本結晶成長学会第11代会長挨拶
• 分散量子ドット構造を利用した広帯域発光素子(量子ドットの使い方)
• 中部シンクロトロン光利用施設の建設がスタート
• TBP、TBAsを用いたOMVPE成長III-V族化合物半導体の特性に及ぼす水素流量の効果
• 青色発光ダイオードを求めて
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 中部シンクロトロン光利用施設(仮称)計画
• XAFSによる半導体ミクロ構造の解析と物性
• (半導体ヘテロ接合の基礎) ヘテロ界面とバンド不連続
• ヨウ素輸送法によるIII-V族混晶のバルク結晶成長 : 気相成長
• 学会参加補助受領者の言葉 : NCCG-40およびICCG-16/ICVGE-14学生参加費支援について(第40回結晶成長国内会議,第16回結晶成長国際会議/第14回気相成長・エピタキシー国際会議開催報告,学会活動報告)
• NCCG-40とICCG-16(第40回結晶成長国内会議,第16回結晶成長国際会議/第14回気相成長・エピタキシー国際会議開催報告,学会活動報告)
• 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• セシウムテルライド薄膜フォトカソードの量子効率の基板依存性
• セシウムテルライド薄膜フォトカソードの量子効率の膜厚依存性
• (29) 企業人の指導による創造性育成工学実験の試み : 「高度総合工学創造実験」の紹介(第9セッション 教育システム(IV))
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み超格子スピン偏極電子源構造におけるバッファ層歪み緩和過程と偏極度の関係(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 歪み補償型GaAs/GaAsP超格子偏極電子源の特性向上(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 球面収差補正高分解能TEMによるInGaAs量子ドットの局所歪状態の観察
• 有機金属気相成長法によるGaP/InAs島/GaP(001)構造の作製
• 有機金属気相成長法によるGaP/InAs島GaP(001)構造の作製
• X線CTR散乱によるInP/InAsP/InP界面の構造解析
• GaSb上のAlGaSbおよびAlGaAsSbのLPE成長 : エピタキシー(LPE)
• 第19回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム報告
• 大学院における創造性育成教育の実践
• (19)高度総合工学創造実験の試行(第5セッション 教育システム(V))
• Er をδドーピングした InP のX線 CTR 散乱法による界面構造解析
• XAFSによる半導体ミクロ構造の解析と物性
• 格子整合と格子不整合
• 成長条件で決まるミクロな構造とマクロな物性 : 半導体中Er発光の成長条件依存性とその局所構造
• GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• TEAsによるGaAsの減圧OMVPE成長と白金触媒の効果 : エピタキシーII
• 液相エピタキシャル成長で発生する疑似成長層 : エピタキシー (LPE)
• InP基板上のIn_Ga_xAs混晶の結晶性とその成長依存性 : エピタキシー (LPE)
• InP基板上のIn_Ga_xAs成長層とその厚さ方向の電気的特性
• InP基板上のIn_Ga_xAs成長層とその特性
• 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 希土類添加III-V族半導体による電流注入型発光デバイス
• InP/GaInAs/InPおよびGaAs/GaInP/GaAsヘテロ界面の原子レベル構造と成長条件依存性(電子部品・材料, 及び一般)
• 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• メサ構造InPテンプレート基板へのInAs量子ドットの成長とサイズ制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• メサ構造InPテンプレート基板へのInAs量子ドットの成長とサイズ制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• メサ構造InPテンプレート基板へのInAs量子ドットの成長とサイズ制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAs バッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 液滴ヘテロエピタキシーによるInP基板上InGaAsPへのInAs量子ドットの形成と室温電流注入発光 : エピキタシャル成長III
• InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成
• 非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成
• 非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究
• 非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• Ga_xIn_P:Er(0≦x≦1)における発光特性のGa組成依存性
• Ga_xIn_P:Er(0≦x≦1)における発光特性のGa組成依存性
• Ga_xIn_P:Er(0≦x≦1)における発光特性のGa組成依存性
• TBPを用いたOMVPE法によるEr添加GaPの成長と評価
• TBPを用いたOMVPE法によるEr添加GaPの成長と評価
• InGaAs/InP多重量子井戸の構造と光励起キャリヤダイナミクス
• InGaAs/InP多重量子井戸の構造と光励起キャリヤダイナミクス
• InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ICPを用いた反応性イオンエッチングによるInP2次元フォトニック結晶の作製
• ICPを用いた反応性イオンエッチングによるInP2次元フォトニック結晶の作製
• X線CTR散乱法と断面STMによるヘテロ界面形成過程の考察 : OMVPE法によるInP/InGaAs/InPの形成(電子部品・材料,及び一般)
• フェイスダインOMVPE法によるInP基板上へのErP成長
• フェイスダウンOMVPE法によるInP基板上へのErP成長
• 新編集長より
• 平成16年度文化功労者に赤崎 勇名誉会員が選ばれる(受賞の紹介)
• InP上のInGaAs選択LPE成長 : エピタキシー(LPE)
• InP基板上のIn_Ga_xAs(x>0.47)のLPE成長 : エピタキシー
• 応用物理における結晶工学
• 鈴木さんと日本の化合物半導体開発
• 応用物理学会結晶工学分科会(閑話休題)
• 第3回XAFS討論会
• 放射光エッチングと有機金属選択エピタキシャル成長による半導体ナノ構造形成

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク