成長中断時の条件変化がInGaP/GaAs界面構造に及ぼす影響のX線CTR散乱法による解析 : エピタキシャル成長III

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概要

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• InGaP/GaAs heterostructures grown by MOVPE were analyzed by X-ray CTR scattering measurement. Distributions of As and P at the interfaces were investigated with different growth temperatures and different atmospheres (i.e., H_2 AsH_3, and PH_3) during growth interruption. It was shown that the abruptness of the interfaces strongly depends on the growth condition.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2000-07-01

著者

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 土屋 忠厳

  日立電線

• 田渕 雅夫

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 田渕 雅夫

  名大

• 浅岡 孝俊

  名古屋大学工学研究科

• 植田 善之

  名古屋大学工学研究科

• 土屋 忠厳

  日立電線ARC

• 坂口 春典

  日立電線ARC

• 坂口 春典

  日立電線株式会社技術研究所

• 田渕 雅夫

  名古屋大学

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