01aA10 GaH-VPE法による窒化ガリウム単結晶成長(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
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概要
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The growth of GaN crystals was conducted by GaH-VPE method. In this method, GaHx was used as Ga source, which enables us to grow GaN crystals with high crystallinity. However, the growth rate was lower than 20um/h because of low GaHx supply. In this work, the structure for the synthesis of GaHx was optimized to increase the reaction efficiency between Ga and H_2 gas.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
森 勇介
阪大・院工
-
吉村 政志
大阪大学大学院工学研究科
-
北岡 康夫
大阪大学大学院工学研究科
-
佐々木 孝友
大阪大学
-
佐々木 孝友
阪大工
-
佐々木 孝友
大阪大学大学院 工学研究科
-
森 勇介
阪大院工
-
佐々木 孝友
阪大院工
-
吉村 政志
阪大院工
-
今出 完
阪大院工
-
北野 芳裕
阪大院工
-
山田 憲秀
阪大院工
-
川原 実
阪大院工
-
川村 史朗
阪大院工
-
北岡 康夫
阪大院工
-
川原 実
大阪大学大学院工学研究科
-
北岡 康夫
大阪大学大学院 工学研究科
-
北岡 康夫
大阪大学工学部
-
佐々木 孝友
回路実装学会 大阪大学大学院工学研究科
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