26aB03 金属ガリウム原料を用いた窒化ガリウム結晶の気相成長(窒化物(1),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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The growth of GaN crystals using metal Ga as a starting material was performed under high pressure. Hydrogen gas was used as a carrier gas in the growth. The evaporation rate of Ga suggested that Ga compounds was formed in the vapor phase. It is indicated that these compounds are reactant with ammonia to form GaN crystals.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
吉村 政志
大阪大学大学院工学研究科
-
佐々木 孝友
大阪大学大学院 工学研究科
-
森 勇介
阪大院工
-
佐々木 孝友
阪大院工
-
吉村 政志
阪大院工
-
今出 完
阪大院工
-
川原 実
阪大院工
-
川村 史朗
阪大院工
-
川原 実
大阪大学大学院工学研究科
-
佐々木 孝友
回路実装学会 大阪大学大学院工学研究科
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