LPE法による大面積・透明GaN単結晶の育成(<小特集>ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)
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概要
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Large size and transparent GaN single crystal was successfully grown by Liquid Phase Epitaxy (LPE) method using alkali metal-based flux. This success was due to examinations of flux composition and to applying the LPE technique. GaN single crystal grown by LPE showed excellent photoluminescence characteristics and had extremely low dislocations. We review the processes of our attempts for growing large and transparent GaN single crystal and introduce the growth mechanisms.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2003-06-25
著者
-
吉村 政志
大阪大学大学院工学研究科
-
吉村 政志
大阪大学工学部電気工学科
-
森 勇介
大阪大学工学部電気工学科
-
佐々木 孝友
大阪大学大学院 工学研究科
-
佐々木 孝友
大阪大学工学部
-
川村 史朗
阪大院工
-
森下 昌紀
阪大院・工
-
森 勇介
大阪大学工学部
-
川村 史朗
大阪大学工学研究科
-
岩橋 友也
大阪大学工学研究科
-
森下 昌紀
大阪大学工学研究科
-
大前 邦途
大阪大学工学研究科
-
岩橋 友也
大阪大学大学院工学研究科
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