川村 史朗 | 阪大院・工
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概要
関連著者
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吉村 政志
大阪大学大学院工学研究科
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佐々木 孝友
大阪大学大学院 工学研究科
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川村 史朗
阪大院工
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川村 史朗
阪大院・工
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吉村 政志
阪大院・工
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森 勇介
阪大院・工
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佐々木 孝友
阪大院・工
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森下 昌紀
阪大院・工
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佐々木 孝友
回路実装学会 大阪大学大学院工学研究科
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川原 実
阪大院・工
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川原 実
大阪大学大学院工学研究科
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森 勇介
阪大・院工
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佐々木 孝友
大阪大学
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佐々木 孝友
阪大工
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今出 完
阪大院工
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今出 完
阪大院・工
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北岡 康夫
大阪大学大学院工学研究科
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小椋 隆史
阪大院・工
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北岡 康夫
阪大院・工
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下條 亮平
阪大院・工
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梅田 英和
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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山田 祐嗣
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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山田 祐嗣
阪大院・工
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梅田 英和
阪大院・工
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北岡 康夫
大阪大学大学院 工学研究科
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北岡 康夫
大阪大学工学部
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磯部 宏晶
阪大院・工
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岩橋 友也
大阪大学大学院工学研究科
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岩橋 友也
阪大院・工
著作論文
- 01aA09 Liフラックスを用いた2H-SiC結晶の液相成長(半導体バルク(2),第36回結晶成長国内会議)
- 01aA07 Na系フラックスを用いたGaN単結晶育成における準安定領域の調査(半導体バルク(2),第36回結晶成長国内会議)
- 26aB11 Naフラックス法を用いたGaN単結晶育成における添加物の効果(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
- 26aB01 フラックス法によるAlN単結晶育成(窒化物(1),第34回結晶成長国内会議)
- Naフラックス法によるGaN単結晶の生成メカニズム(窒化物半導体結晶)
- 高圧昇華法によるGaN単結晶育成(窒化物半導体結晶)
- 金属Naフラックスを用いたGaN単結晶の育成 : 溶液成長II