Improved Efficiency of 255-280nm AlGaN-Based Light-Emitting Diodes
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- Japan Society of Applied Physicsの論文
- 2010-06-25
著者
-
天野 洋
千葉大
-
天野 浩
名城大学理工学研究科電気電子・情報・材料工学専攻
-
Pernot C
Picogiga Courtaboeuf Fra
-
Amano H
Department Of Electrical Engineering And Computer Science Graduate School Of Engineering Nagoya Univ
-
Amano Hiroshi
Department of Cardiology and Pneumology, Dokkyo University School of Medicine
-
IWAYA Motoaki
Faculty of Science and Technology, 21st-Century COE Program "Nano-factory", Meijo University
-
KAMIYAMA Satoshi
Faculty of Science and Technology, 21st-Century COE Program "Nano-factory", Meijo University
-
AKASAKI Isamu
Faculty of Science and Technology, 21st-Century COE Program "Nano-factory", Meijo University
-
Kamiyama S
Faculty Of Science And Technology Meijo University
-
Kamiyama S
Silicon Systems Research Laboratories Nec Corporation
-
Kamiyama Satoshi
Ulsi Device Development Laboratories Nec Corporation
-
Kamiyama Satoshi
Faculty Of Science And Technology Meijo University
-
Akasaki I
Faculty Of Science And Technology Meijo University
-
Akasaki I
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Science And Technology Meijo Universi
-
Akasaki Isamu
Department Of Electrical And Electronic Engineering Meijyo University
-
Akasaki Isamu
Department Of Electrical And Electronic Engineering And High-tech Research Center Meijo University
-
Akasaki Isamu
Faculty Of Science And Technology Meijo University
-
Fujii Takahiro
Faculty Of Science And Technology 21st Coe Program "nano-factory" Meijo University
-
Amano H
Department Of Electrical And Electronic Engineering And High-tech Research Center Meijo University
-
Iwaya M
Faculty Of Science And Technology Meijo University
-
Iwaya Motoaki
Faculty Of Science And Technology Meijo University
-
PERNOT Cyril
UV Craftory Co., Ltd.
-
KIM Myunghee
UV Craftory Co., Ltd.
-
FUKAHORI Shinya
UV Craftory Co., Ltd.
-
INAZU Tetsuhiko
UV Craftory Co., Ltd.
-
FUJITA Takehiko
UV Craftory Co., Ltd.
-
NAGASAWA Yosuke
UV Craftory Co., Ltd.
-
HIRANO Akira
UV Craftory Co., Ltd.
-
IPPOMMATSU Masamichi
UV Craftory Co., Ltd.
-
Kim Myunghee
Uv Craftory Co. Ltd.
-
Inazu Tetsuhiko
Uv Craftory Co. Ltd.
-
Fukahori Shinya
Uv Craftory Co. Ltd.
-
Nagasawa Yosuke
Uv Craftory Co. Ltd.
-
天野 洋
Department Of Electrical Engineering And Computer Science Graduate School Of Engineering Nagoya Univ
-
Ippommatsu Masamichi
Uv Craftory Co. Ltd.
関連論文
- カキ圃場でのハダニ類に対する土着天敵相, 特に下草管理が土着天敵類の発生に及ぼす影響
- GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- リュウジンマタハダニ(和名新称) Schizotetranychus baltazari Rimando の日本からの記録
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- p型GaNゲートを有するノーマリーオフ型GaN系HFETの閾値電圧制御および温度特性(センサーデバイス,MEMS,一般)
- 日本の慣行防除果樹園で優占するミヤコカブリダニとケナガカブリダニの薬剤感受性
- E302 キャベツに対する農薬の付着程度評価(防除法 害虫管理 IPM)
- 光の波長および強度がナミハダニの休眠に及ぼす影響(一般講演,第16回日本ダニ学会大会講演要旨)
- ロビンネダニ異型雄のSancassania mycophagusへの攻撃性(一般講演,第15回日本ダニ学会大会講演要旨)
- 天敵資材としての可能性を持つフツウカブリダニの生殖特性(一般講演,第15回日本ダニ学会大会講演要旨)
- 光の波長がナミハダニ黄緑型の個体群成長に及ぼす影響(一般講演,第14回日本ダニ学会大会講演要旨)
- ナシ樹上に設置したPhyto trapによるカブリダニ類の越冬生態調査(一般講演,第14回日本ダニ学会大会講演要旨)
- ナシ樹上におけるミヤコカブリダニの密度は枝に設置したPhyto trapで推定できるか?
- 物理的な構造物がカブリダニの行動に及ぼす影響 : ミヤコカブリダニの反応(第13回日本ダニ学会大会講演要旨)
- A210 カブリダニの滞在場所および産卵場所選択に構造物が及ぼす影響(一般講演)
- 発光ダイオードを用いたナミハダニ黄緑型の休眠誘起実験(一般講演)(第12回日本ダニ学会大会講演要旨)
- ナシ園におけるカブリダニの発生消長調査 : 枝に設置したPhyto trapでの結果(一般講演)(第12回日本ダニ学会大会講演要旨)
- 中部地方におけるホオノキ上のカブリダニ相(一般講演)(第12回日本ダニ学会大会講演要旨)
- 柑橘園のミカンハダニ個体群における薬剤抵抗性遺伝子の分布の偏り(一般講演)(第12回日本ダニ学会大会講演要旨)
- 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- III族窒化物半導体へのp型ドーピングと結晶欠陥(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- 注目の無極性面・半極性面窒化物半導体発光デバイス (特集 注目の無極性面・半極性面発光デバイス)
- p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- UVA1-LED光線療法の照射装置開発
- サンプリング間隔を変えた場合の除去法によるフタトゲチマダニの密度(一般講演)(第11回日本ダニ学会大会講演要旨(福井大会))
- I113 乾燥酵母トラップを使った土壌中のケナガコナダニ属の個体数調査(ダニ・クモ)
- ケナガカブリダニ地方個体群の特性比較(第 8 回日本ダニ学会大会講演要旨)
- 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- UVレーザダイオードの動作電圧の低減(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- D213 ミカンハダニのメタ個体群構造に関する集団遺伝学的解析(自然・環境保護 ダニ・クモ 線虫)
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 紫外LEDを用いた次世代光線治療器の開発および特性評価(有機材料,一般)
- 異なる栽培管理方式をもつ静岡県茶園におけるカブリダニの種類相
- E101 異なる波長域のLEDを用いた夜間照明によるキンウワバ類の行動抑制実験(防除法 害虫管理 IPM)
- Influence of Ohmic Contact Resistance on Transconductance in AlGaN/GaN HEMT(GaN-Based Devices,Heterostructure Microelectronics with TWHM2005)
- Growth of GaInN by Raised-Pressure Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
- Strong Emission from GaInN/GaN Multiple Quantum Wells on High-Crystalline-Quality Thick m-Plane GaInN Underlying Layer on Grooved GaN
- Misfit Strain Relaxation by Stacking Fault Generation in InGaN Quantum Wells Grown on m-Plane GaN
- リンゴ園周辺の自然植生に生息する天敵類の利用・ホオノキに生息するイチレツカブリダニの利用の試み(第35回ハダニ談話会-果樹園のハダニをとりまく天敵たち-, あかりノート)
- S102 リンゴ園周辺の自然植生に生息する天敵類の利用・ホオノキに生息するイチレツカブリダニの利用の試み(小集会)
- チリカブリダニとケナガカブリダニにおける偽産雄単為生殖の細胞学的証明
- チリカブリダニ雌成虫体内における卵形成過程の解明におよび雄卵の受精の証明(第 7 回日本ダニ学会大会講演要旨)
- E314 チリカブリダニの卵の性が決定される時期の推定(ダニ・クモ・畜産・衛生・家畜害虫)
- チリカブリダニ雌成虫の繁殖と寿命に対する交尾の影響(第 6 回日本ダニ学会大会講演要旨)
- D107 チリカブリダニ雄成虫の寿命と授精能力(ダニ・クモ)
- カブリダニの性比変動の意味(第 5 回日本ダニ学会大会講演要旨)
- カブリダニの雌雄の産み分けに影響する要因(第 4 回日本ダニ学会大会講演要旨)
- G203 チリカブリダニにおけるPseudo-arrhenotokyの細胞学的証明(ダニ・線虫)
- Study on the Seeded Growth of AlN Bulk Crystals by Sublimation
- 日本産3種カブリダニのミトコンドリア塩基配列の多様性(英文)
- 日本産ムチカブリダニ亜科(カブリダニ科)の再検討 : 属と種のチェックリスト及び検索表
- Improved Efficiency of 255-280nm AlGaN-Based Light-Emitting Diodes
- Control of Threshold Voltage of Enhancement-Mode Al_xGa_N/GaN Junction Heterostructure Field-Effect Transistors Using p-GaN Gate Contact
- High On/Off Ratio in Enhancement-Mode Al_xGa_N/GaN Junction Heterostructure Field-Effect Transistors with P-Type GaN Gate Contact
- Low-Leakage-Current Enhancement-Mode AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistor Using p-Type Gate Contact
- Control of p-Type Conduction in a-Plane GaN Grown on Sapphire r-Plane Substrate
- Strain Relaxation Mechanisms in AlGaN Epitaxy on AlN Templates
- トマトサビダニを用いたPhytoseius属カブリダニの飼育法(ポスター)(第11回日本ダニ学会大会講演要旨(福井大会))
- サンゴジュのdomatiaを利用するダニの相互関係(一般講演)(第11回日本ダニ学会大会講演要旨(福井大会))
- ホオノキ葉上のカブリダニ相 : イチレツカブリダニの分布南限(一般講演)(第11回日本ダニ学会大会講演要旨(福井大会))
- 農林業ダニ学発展の楽観と悲観 : ダニ学者からダニラーヘ(シンポジウム)(第11回日本ダニ学会大会講演要旨(福井大会))
- Internal Quantum Efficiency of Whole-Composition-Range AlGaN Multiquantum Wells
- Effects of larval density on larval survivorship and imaginal fecundity of Dacne picta (Coleoptera : Erotylidae)
- G215 これまで実体が明らかでなかったPulvinaria属カイガラムシ3種の再検討(寄主選択 耐虫性 分類学 系統学 進化学)
- GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Nonpolar a-Plane AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors Grown on Freestanding GaN Substrate
- 雨除け栽培ホウレンソウ圃場から採集された日本未記載種カブリダニ(新和名 : ホウレンソウカブリダニ)の記録
- Fabrication of Nonpolar a-Plane Nitride-Based Solar Cell on r-Plane Sapphire Substrate
- ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物ワイドギャップ半導体の現状と展望 : バルクGaN単結晶成長技術開発の観点から
- ククメリスカブリダニとスワルスキーカブリダニの土着主要種からの識別法
- 半導体の元素と周期表(ヘッドライン:周期表を読む)
- 日本産3種カブリダニのミトコンドリア塩基配列の多様性