高精度位相シフト電子線ホログラフィ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本電子顕微鏡学会の論文
- 2001-03-31
著者
-
平山 司
財団法人ファインセラミックスセンター
-
日比野 倫夫
名大理工総研
-
日比野 倫夫
名古屋大学理工学総合研究センター
-
日比野 倫夫
名古屋大学理工科学総合研究センター
-
山本 和生
財団法人ファインセラミックスセンター
-
丹司 敬義
名古屋大学理工科学総合研究センター
-
平山 司
(財)ファインセラミックスセンター ナノ構造研究所
-
山本 和生
(財)ファインセラミックスセンター ナノ構造研究所
-
丹司 敬義
名古屋大
-
丹司 敬義
名古屋大学エコトピア科学研究所
関連論文
- 特集「電子顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(6)の企画にあたって
- ナノ粒子導入TFA-MOD Y_Sm_xBa_2Cu_3O_y線材のJ_c-B-θ特性
- IBAD-PLD法長尺YBCO線材の開発 : IBAD中間層上における自己配向PLD-CeO_2キャップ層の長尺化
- TFA-MOD Y_RE_xBa_2Cu_3O_y線材の磁場中高J_c化
- In-plume PLD 法で reel-to-reel 成膜したGdBCO線材の磁場中I_c特性
- 電子線ホログラフィーによる材料・デバイスの解析
- 先端的透過型電子顕微鏡法と理論計算の融合による新しい材料開発
- 特集「顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(9)」 : -先端顕微鏡法開発がもたらす材料科学の新たな展開-企画にあたって
- AlGaN中間層を用いて作製したSi上選択成長GaNのTEM観察 : エピタキシャル成長II
- AlGaN中間層を用いてSi上に選択成長したGaNピラミッドのTEM観察
- BaZrO_3 バッファー層による MgO 基板上 SmBa_2Cu_3O_y 膜の面内配向性向上機構
- パーマロイ蒸着薄膜中の斑点および磁区模様の電子顕微鏡観察 : 応用磁性
- 電子顕微鏡によるパーマロイ蒸着局所異方性の観察 : 応用磁性
- 磁場中で高い臨界電流特性を持つIBAD-PLD法超電導線材
- 超高圧電子顕微鏡における振動の影響
- 高精度位相シフト電子線ホログラフィ
- 28aXC-8 磁性金属多層膜(Co/Cu)の電子線ホログラフィによる断面観察
- 28aXC-4 透過電子顕微鏡による電荷整列La_Sr_MnO_4への微小領域EELS
- 22aSF-7 透過型電子顕微鏡による電荷整列La_Sr_MnO_4への微小領域EELS
- 22aYH-5 ビデオレート記録システムをもちいた時間分解EELSによるCaF_2照射損傷過程
- 24pYF-14 グラファイト陰極上への短時間パルスアーク放電による初期生成物
- 磁性金属多層膜(Co/Cu)の電子線ホログラフィ
- 高精度位相シフト電子線ホログラフィのシミュレーション
- 電子線バイプリズムによるフレネル回折の影響とその補正
- 小電流パルスアークによるフラーレン生成高温システム
- 小電流パルスアークによるグラファイトアブレーション
- 24pS-8 パルスアーク放電による炭素プラズマからの微粒子生成基礎過程
- 22aZF-12 La_Sr_MnO_3の角度分解EELSスペクトル
- 27pYA-7 電子線バイプリズムによるフレネル回折の影響とその補正
- 27pYA-6 交流電圧印可による電子線微分干渉法の検討
- パルスアーク放電を用いたフラーレン生成システムの製作
- 電子線ホログラフィによる微分顕微鏡法
- ローレンツ電子顕微鏡法によるFe微粒子の観察
- 位相シフト電子綿ホログラフィによる高精度位相計測法の開発と応用
- 最大エントロピー法を用いた弱位相物体のTEM像のデコンボリューション
- CaF_2における電子照射誘起過程の時間分解EELS
- ペロブスカイト型Mn酸化物の運動量分解EELS
- 28p-J-1 ローレンツ電子顕微鏡法によるFe微粒子の観察II
- 28p-XJ-2 磁性超微粒子のローレンツ電子顕微鏡像
- 28p-XJ-1 電子線ホログラフィによる微分顕微鏡法III
- 25p-K-15 位相シフト電子線ホログラフィの高精度化
- 30p-YC-8 電子線ホログラフィーによる微分顕微鏡法II
- 5p-X-4 電子線ホログラフィによる微分顕微鏡法
- 28p-A-2 高分解能電子線ホログラフィにおける収差補正
- CoFeBサンドイッチ膜のローレンツ電子顕微鏡観察
- ZrSiO_4の高分解能電子線ホログラフィ
- 電子線ホログラフィーによるIII-V系半導体のドーパント分布測定
- 電子線ホログラフィーの原理と磁性材料・半導体デバイス解析への応用 (特集 最先端の電子顕微鏡技術と応用展開)
- 集束イオンビームによる試料作製とビームダメージ層除去
- 分析のためのFIB試料作製 (試料作製の新展開)
- FIB-マイクロサンプリングとArイオンミリングを併用した高分解能観察試料作製技術の開発
- MO観察で特定したYBCO線材欠陥部位のSIM及びTEMによる微細構造観察
- 30p-YM-11 電子線ホログラフィによる磁性体微粒子の磁区状態決定
- カーボンナノチューブに充填した円柱状コバルトの磁化測定
- 電子線ホログラフィーによるその場磁場観察
- 電子線ホログラフィーによる機能材料の直接観察 (特集 ファインセラミックス開発の新展開--JFCCは今)
- 積層IBAD中間層基板の開発
- 電子線ホログラフィーによる電界効果トランジスタ内二次元電位分布解析
- 22pXB-7 電子線ホログラフィによるシリコン p-n 接合電位分布計測の物理的意味
- FIBを用いた無機膜の微構造解析
- パーマロイ薄膜磁化異方性の電顕による測定 : 表面物理・薄膜
- 炭化ケイ素表面における高配向カーボンナノチューブ薄膜の作製
- SiC表面における高配向カーボンナノチューブ薄膜形成(ナノ結晶)
- SiC上カーボンナノチューブ配向膜の創製-SiC(0001),(0001)面の表面分解過程-
- SiC上の高配向カーボンナノチューブ膜
- TEMを用いた新しい薄膜キャラクタリゼーション技術 (特集 セラミックスインテグレーション)
- 12p-DL-9 実時間電子線ホログラフィによる磁壁の動的観察
- 31p-PSB-38 電子線ホログラフィによるバリウムフェライト粒子磁区状態の観察
- 研究マネジメントに関する試み
- 電子線ホログラフィーによる相補型 MOS(Complementary MOS) デバイス断面のドーパント分布解析
- 18pTH-6 電子線ホログラフィによるMOSFET断面の電位分布解析
- アルミナにおける対称傾角粒界の局所ひずみと原子構造
- カーボンナノチューブの発見と高分解能電子顕微鏡
- 電子線ホログラフィーによるシリコン内極微量ドーパント分布の2次元解析と半導体産業への活用
- 電子線ホログラフィーによるシリコンデバイス中ドーパント分布の2次元解析(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)
- 電子線ホログラフィーによる結晶内部電位の測定
- イオンビームアシスト蒸着法によるパイロクロア型酸化物バッファ層を用いたY-123系厚膜超伝電導線材の開発
- 114 Ti-Ni形状記憶合金の変形における微視構造の変化(GS1 ナノ13)
- 2107 TiNi系形状記憶合金中に生成するTi析出相の微視的評価(G04-2 機械材料・材料加工(2),G04 機械材料・材料加工)
- セラミックスインテグレーションにおける機能と界面の微構造解析
- 透過電子顕微鏡によるその場計測技術と超高分解能観察
- 強磁性形状記憶合金マルテンサイト相における双晶と磁区構造の関係
- 電子線ホログラフィによる微粒子の磁区構造観察
- 28aXC-9 電子線振幅分割多波干渉における位相情報
- 4波干渉位相計測法
- 金及び鉄イオン照射によって酸化物超電導体内に形成されたナノ構造欠(イノベーティブセラミックス(I))
- Microscopy & Microanalysis 2002
- フレネルインライン電子線ホログラフィーにおける画質改善
- 銅配向基板を用いたYBa_2Cu_3O_超電導線材の微細構造観察
- YBCO単結晶のピーク効果とAPB
- PLD-IBAD法YBCO超電導線材の開発自己配向成長したCeO_2膜を利用したYBa_2Cu_3O_超電導線材の開発
- IBAD-PLD法による長尺YBCO線材の開発 : IBAD中間層上における自己配向PLD法CeO_2キャップ層の検討
- IBAD-PLD法による長尺YBCO線材の開発 : 実用化への長尺化と高速化の検討
- 最先端の研究現場から : COEを目指す研究機関JFCC(財団法人ファインセラミックスセンター)
- 塗布熱分解法によりSrTiO_3(001)上に作製したYbBa_2Cu_3O_前駆体膜および本焼膜のTEM観察
- ピーク効果を持つY-Ba-Cu-O超電導体のTEM観察
- 13pTJ-13 ローレンツ顕微鏡法を用いた位相情報の抽出(電子線, 領域 10)
- 25p-K-14 シリコン薄膜を用いた振幅分割型電子線3波干渉法による電場観察
- Ti-Ni形状記憶合金におけるナノ結晶組織形成過程のTEM内その場観察
- 量子ノイズの空間的ランダム分布制約を受けた最大エントロピー法を用いた電子顕微鏡像のデコンボリューション