電子線ホログラフィーによるIII-V系半導体のドーパント分布測定
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2009-12-01
著者
-
平山 司
ファインセラミックスセンター
-
平山 司
(財)ファインセラミックスセンターナノ構造研究所 ナノスコピー・シュミレーション部
-
平山 司
財団法人ファインセラミックスセンター
-
佐々木 宏和
財団法人ファインセラミックスセンター
-
山本 和生
財団法人ファインセラミックスセンター
-
平山 司
(財)ファインセラミックスセンター ナノ構造研究所
-
山本 和生
(財)ファインセラミックスセンター ナノ構造研究所
関連論文
- REBa_2Cu_3O_線材用二軸配向基板の配向度に与えるIBAD-MgO層の表面ラフネスの影響
- 特集「電子顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(6)の企画にあたって
- ナノ粒子導入TFA-MOD Y_Sm_xBa_2Cu_3O_y線材のJ_c-B-θ特性
- 人工ピンを導入したYBCO線材の磁場中特性(その2)
- 人工ピンを導入したYBCO線材の磁場中特性
- PLD-CeO_2/IBAD-GZO金属基板上での人工ピンニングセンター導入GdBa_2Cu_3O_線材の厚膜化検討
- 人工ピン導入によるPLD/IBAD金属基板上YBCO膜の磁場特性
- PLD-CeO_2/IBAD-GZO金属基板上でのGdBa_2Cu_3O_線材の厚膜化検討
- PLD-CeO_2/IBAD金属基板上の人工ピンの研究 : GdBa_2Cu_3O_線材の磁場中特性
- IBAD-PLD法長尺YBCO線材の開発 : IBAD中間層上における自己配向PLD-CeO_2キャップ層の長尺化
- IBAD-MgO膜の表面ラフニング
- TFA-MOD Y_RE_xBa_2Cu_3O_y線材の磁場中高J_c化
- In-plume PLD 法で reel-to-reel 成膜したGdBCO線材の磁場中I_c特性
- 26aRK-4 La_Sr_MnO_3における電荷整列相の特徴(マンガン酸化物,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 27pTD-9 六方晶Ba_Sr_Zn_2Fe_O_における構造変調の電子回折による観測(27pTD マルチフェロイック2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 電子線ホログラフィーによる材料・デバイスの解析
- 先端的透過型電子顕微鏡法と理論計算の融合による新しい材料開発
- IBAD基板上への高配向PLD-CeO_2キャップ層の長尺化検討
- IBAD-PLD法YBCO線材の開発 : 実用化の検討と取組み
- 特集「顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(9)」 : -先端顕微鏡法開発がもたらす材料科学の新たな展開-企画にあたって
- IBAD-MgO基板をベースにしたREBCO線材開発
- BaZrO_3 バッファー層による MgO 基板上 SmBa_2Cu_3O_y 膜の面内配向性向上機構
- 26aYE-11 正方晶BaTiO_3誘電率異方性の第一原理的研究(誘電体(BaTiO_3関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- Gd_2Zr_2O_7及びMgO-IBAD基板をベースにしたREBCO線材プロセスの比較
- 磁場中で高い臨界電流特性を持つIBAD-PLD法超電導線材
- MgOを用いたIBAD基板プロセスの検討
- TFA-MOD法YBCOにおける反応、微細組織
- 高精度位相シフト電子線ホログラフィ
- 位相シフト電子綿ホログラフィによる高精度位相計測法の開発と応用
- 28p-XJ-2 磁性超微粒子のローレンツ電子顕微鏡像
- 25p-K-15 位相シフト電子線ホログラフィの高精度化
- 電子線ホログラフィーによるIII-V系半導体のドーパント分布測定
- 電子線ホログラフィーの原理と磁性材料・半導体デバイス解析への応用 (特集 最先端の電子顕微鏡技術と応用展開)
- 集束イオンビームによる試料作製とビームダメージ層除去
- 分析のためのFIB試料作製 (試料作製の新展開)
- FIB-マイクロサンプリングとArイオンミリングを併用した高分解能観察試料作製技術の開発
- MO観察で特定したYBCO線材欠陥部位のSIM及びTEMによる微細構造観察
- FIBを用いた微細構造解析用試料調製技術
- IBAD-PLD法YBCO線材の開発 : IBAD基板上におけるPLD法CeO_2キャップ層の高配向化及び中間層プロセスの高速化検討
- 30p-YM-11 電子線ホログラフィによる磁性体微粒子の磁区状態決定
- カーボンナノチューブに充填した円柱状コバルトの磁化測定
- 電子線ホログラフィーによるその場磁場観察
- 電子線ホログラフィーによる機能材料の直接観察 (特集 ファインセラミックス開発の新展開--JFCCは今)
- 積層IBAD中間層基板の開発
- 電子線ホログラフィーによる電界効果トランジスタ内二次元電位分布解析
- 22pXB-7 電子線ホログラフィによるシリコン p-n 接合電位分布計測の物理的意味
- FIBを用いた無機膜の微構造解析
- IBAD-PLD法YBa_2Cu_3O_線材の開発 : PLD長尺装置によるYBa_2Cu_3O_線材の高I_c化検討
- 炭化ケイ素表面における高配向カーボンナノチューブ薄膜の作製
- 科学解説 SiC表面分解を利用したカーボンナノチューブの高配向成長
- SiC表面における高配向カーボンナノチューブ薄膜形成(ナノ結晶)
- SiC上カーボンナノチューブ配向膜の創製-SiC(0001),(0001)面の表面分解過程-
- SiC上の高配向カーボンナノチューブ膜
- カーボンナノチューブ膜/SiC単結晶の表面方位依存性
- SiCの表面分解法で作製したカーボンナノチューブ膜のTEM観察
- ホログラフィーとその応用 (最新分析手法とその応用)
- 23pTK-8 CaTiO_3の強誘電性の第一原理計算(誘電体,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- TEMを用いた新しい薄膜キャラクタリゼーション技術 (特集 セラミックスインテグレーション)
- 12p-DL-9 実時間電子線ホログラフィによる磁壁の動的観察
- 31p-PSB-38 電子線ホログラフィによるバリウムフェライト粒子磁区状態の観察
- IBAD法中間層材料の配向成長におけるRE元素依存性
- 特集「各種顕微鏡法による先端材料評価最前線」特集企画にあたって
- 研究マネジメントに関する試み
- 電子線ホログラフィーによる相補型 MOS(Complementary MOS) デバイス断面のドーパント分布解析
- 18pTH-6 電子線ホログラフィによるMOSFET断面の電位分布解析
- PLD-CeO_2/IBAD金属基板上の人工ピンの研究 : 実用線材化への有効性とナノデザインの可能性
- 人工ピンを導入したYBCO線材の磁場中特性 (その3) : 2種混合ターゲット法による成膜検討
- アルミナにおける対称傾角粒界の局所ひずみと原子構造
- PLD法によるIBAD基板上の第二中間層の配向性の改善
- カーボンナノチューブの発見と高分解能電子顕微鏡
- 電子線ホログラフィーによるシリコン内極微量ドーパント分布の2次元解析と半導体産業への活用
- 電子線ホログラフィーによるシリコンデバイス中ドーパント分布の2次元解析(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)
- 電子線ホログラフィーによる結晶内部電位の測定
- イオンビームアシスト蒸着法によるパイロクロア型酸化物バッファ層を用いたY-123系厚膜超伝電導線材の開発
- 114 Ti-Ni形状記憶合金の変形における微視構造の変化(GS1 ナノ13)
- 2107 TiNi系形状記憶合金中に生成するTi析出相の微視的評価(G04-2 機械材料・材料加工(2),G04 機械材料・材料加工)
- セラミックスインテグレーションにおける機能と界面の微構造解析
- 透過電子顕微鏡によるその場計測技術と超高分解能観察
- 強磁性形状記憶合金マルテンサイト相における双晶と磁区構造の関係
- 電子線ホログラフィによる微粒子の磁区構造観察
- 28aXC-9 電子線振幅分割多波干渉における位相情報
- 22aYH-12 電子線多波干渉における位相情報の現れ方
- 4波干渉位相計測法
- 金及び鉄イオン照射によって酸化物超電導体内に形成されたナノ構造欠(イノベーティブセラミックス(I))
- Microscopy & Microanalysis 2002
- 銅配向基板を用いたYBa_2Cu_3O_超電導線材の微細構造観察
- リチウム電池材料研究に貢献するナノ構造解析と理論計算
- IBAD-PLD法による長尺YBCO線材の開発 : IBAD法を用いたGd_2Zr_2O_7二軸配向長尺基板の作製
- PLD-IBAD法YBCO超電導線材の開発自己配向成長したCeO_2膜を利用したYBa_2Cu_3O_超電導線材の開発
- IBAD-PLD法による長尺YBCO線材の開発 : IBAD中間層上における自己配向PLD法CeO_2キャップ層の検討
- IBAD-PLD法による長尺YBCO線材の開発 : 実用化への長尺化と高速化の検討
- YBCO線材のためのCeO_2中間層の検討
- 最先端の研究現場から : COEを目指す研究機関JFCC(財団法人ファインセラミックスセンター)
- 透過型電子顕微鏡-収差補正ABF-STEM法によるリチウム二次電池材料中のリチウム原子列の直接観察
- FIBを用いたTEM試料作製技術
- その場透過型電子顕微鏡法による圧電単結晶中ナノドメインの分極反転直接観察
- リラクサ系圧電単結晶中ナノドメインの電界に対する応答
- 化合物半導体表面に形成されるダメージ層の電子線ホログラフィ観察に与える影響 (第38回表面分析研究会講演資料)
- Ti-Ni形状記憶合金におけるナノ結晶組織形成過程のTEM内その場観察
- 27pKA-11 PMN-PTにおける強誘電ナノドメインの構造解析(誘電体(マルチフェロイック,リラクサ),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))