リチウム電池材料研究に貢献するナノ構造解析と理論計算
スポンサーリンク
概要
著者
-
平山 司
ファインセラミックスセンター
-
幾原 雄一
東京大学工学部総合研究機構
-
平山 司
(財)ファインセラミックスセンターナノ構造研究所 ナノスコピー・シュミレーション部
-
幾原 雄一
東京大学大学院工学研究科総合研究機構
-
幾原 雄一
東大 大学院工学系研究科
-
森分 博紀
(財)ファインセラミックスセンター(jfcc)ナノ構造研究所
関連論文
- 21pGE-16 スピネル型LiNi_2O_4における電荷軌道整列相の第一原理計算(21pGE パイロクロア・フラストレーション系,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- REBa_2Cu_3O_線材用二軸配向基板の配向度に与えるIBAD-MgO層の表面ラフネスの影響
- 特集「電子顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(6)の企画にあたって
- ナノ粒子導入TFA-MOD Y_Sm_xBa_2Cu_3O_y線材のJ_c-B-θ特性
- 人工ピンを導入したYBCO線材の磁場中特性(その2)
- 人工ピンを導入したYBCO線材の磁場中特性
- PLD-CeO_2/IBAD-GZO金属基板上での人工ピンニングセンター導入GdBa_2Cu_3O_線材の厚膜化検討
- 人工ピン導入によるPLD/IBAD金属基板上YBCO膜の磁場特性
- PLD-CeO_2/IBAD-GZO金属基板上でのGdBa_2Cu_3O_線材の厚膜化検討
- PLD-CeO_2/IBAD金属基板上の人工ピンの研究 : GdBa_2Cu_3O_線材の磁場中特性
- HRTEM による Cu/α-Al_2O_3(0001) 界面の原子構造解析(セラミック材料)
- IBAD-MgO膜の表面ラフニング
- TFA-MOD Y_RE_xBa_2Cu_3O_y線材の磁場中高J_c化
- In-plume PLD 法で reel-to-reel 成膜したGdBCO線材の磁場中I_c特性
- 後方散乱電子線回折法によるIn Situ Si_3N_4セラミックスのβ-Si_3N_4柱状粒子の結晶方位関係の解析
- 26aRK-4 La_Sr_MnO_3における電荷整列相の特徴(マンガン酸化物,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 27pTD-9 六方晶Ba_Sr_Zn_2Fe_O_における構造変調の電子回折による観測(27pTD マルチフェロイック2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 第一原理分子軌道計算法による安定化ジルコニアの相安定性評価(セラミック材料)
- 電子線ホログラフィーによる材料・デバイスの解析
- 先端的透過型電子顕微鏡法と理論計算の融合による新しい材料開発
- 半導性 SrTiO_3 双結晶において形成された Co 化学界面の電気的特性
- IBAD基板上への高配向PLD-CeO_2キャップ層の長尺化検討
- IBAD-PLD法YBCO線材の開発 : 実用化の検討と取組み
- 特集「顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(9)」 : -先端顕微鏡法開発がもたらす材料科学の新たな展開-企画にあたって
- IBAD-MgO基板をベースにしたREBCO線材開発
- 複層鋼板における異種鋼板接合界面のSTEM-EDS観察
- BaZrO_3 バッファー層による MgO 基板上 SmBa_2Cu_3O_y 膜の面内配向性向上機構
- TZPの高温延性に及ぼすGeO_2-NdO_複合添加効果
- 電子セラミックスの粒界構造と電気的特性
- EDSおよびEELSによるLu微量添加Al_2O_3の粒界局所分析
- 熱処理中における Nd_ Ba_ Cu_3 O_ の固相変態挙動
- セラミックスの粒界構造と高温力学特性
- 耐高温クリープ性アルミナセラミックスの粒界構造と電子状態
- 原子直視による GaN 界面の観察
- 超高圧超高分解能透過電子顕微鏡によるGaN極性直接評価とその応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 超高圧超高分解能透過電子顕微鏡によるGaN極性直接評価とその応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- 26aYE-11 正方晶BaTiO_3誘電率異方性の第一原理的研究(誘電体(BaTiO_3関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 特集企画にあたって
- β″-アルミナの特性と微細構造に及ぼすSiO_2及びFe_2O_3の影響
- アルミナ結晶粒界構造の分子軌道法による評価
- Gd_2Zr_2O_7及びMgO-IBAD基板をベースにしたREBCO線材プロセスの比較
- 磁場中で高い臨界電流特性を持つIBAD-PLD法超電導線材
- MgOを用いたIBAD基板プロセスの検討
- TFA-MOD法YBCOにおける反応、微細組織
- TFA-MOD法によるYBCO線材開発 : 反応、微細組織と臨界電流密度の関係
- 電子線ホログラフィーによるIII-V系半導体のドーパント分布測定
- 電子線ホログラフィーの原理と磁性材料・半導体デバイス解析への応用 (特集 最先端の電子顕微鏡技術と応用展開)
- 集束イオンビームによる試料作製とビームダメージ層除去
- 分析のためのFIB試料作製 (試料作製の新展開)
- IBAD-PLD法YBCO線材の開発 : IBAD基板上におけるPLD法CeO_2キャップ層の高配向化及び中間層プロセスの高速化検討
- 電子線ホログラフィーによるその場磁場観察
- 電子線ホログラフィーによる機能材料の直接観察 (特集 ファインセラミックス開発の新展開--JFCCは今)
- 積層IBAD中間層基板の開発
- SIMOX法で作製したSi微粒子界面の高分解能観察とモデル化
- IBAD-PLD法YBa_2Cu_3O_線材の開発 : PLD長尺装置によるYBa_2Cu_3O_線材の高I_c化検討
- 界面・粒界研究の新展開 : 企画にあたって
- 企画にあたって
- 酸化物超電導体におけるイオン照射欠陥
- 酸化物超電導体へのイオン照射と微細構造
- イオンプレ-ティング法で合成されたBN膜内の立方晶BNと六方晶BNの方位関係
- メカニカルミリングによるグラファイトの非晶質化過程の透過電子顕微鏡観察
- Bi2Sr2CaCu2Ox単結晶へのイオン照射によって創られた磁束止め点としてはたらくカスケ-ド欠陥
- 18MeV Fe^イオン照射によるBi_2Sr_2CaCu_2O_x超伝導体の特性と微構造の変化
- 炭化ケイ素表面における高配向カーボンナノチューブ薄膜の作製
- 科学解説 SiC表面分解を利用したカーボンナノチューブの高配向成長
- SiC表面における高配向カーボンナノチューブ薄膜形成(ナノ結晶)
- SiC上カーボンナノチューブ配向膜の創製-SiC(0001),(0001)面の表面分解過程-
- SiC上の高配向カーボンナノチューブ膜
- カーボンナノチューブ膜/SiC単結晶の表面方位依存性
- SiCの表面分解法で作製したカーボンナノチューブ膜のTEM観察
- ホログラフィーとその応用 (最新分析手法とその応用)
- 23pTK-8 CaTiO_3の強誘電性の第一原理計算(誘電体,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- IBAD法中間層材料の配向成長におけるRE元素依存性
- 19pXC-7 収差補正STEMによる界面超構造解析(シンポジウム 最新電子顕微鏡法を使った物性研究のいぶき,領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 特集「各種顕微鏡法による先端材料評価最前線」特集企画にあたって
- MOD-TFA法によるY123超電導膜の成長機構
- 金/窒化ケイ素モデル界面の微細構造と組成
- 研究マネジメントに関する試み
- 電子エネルギー損失分光(EELS)と第一原理計算を組み合わせた原子・電子構造解析
- 球面収差補正走査透過型電子顕微鏡法による材料解析 (特集 ファインセラミックス開発の新展開--JFCCは今)
- ELNESと理論計算を組み合わせた結晶界面の原子・電子構造解析
- アルミナ-スピネルセラミックスの高温延性とクラック成長
- 電子線ホログラフィーによる相補型 MOS(Complementary MOS) デバイス断面のドーパント分布解析
- PLD-CeO_2/IBAD金属基板上の人工ピンの研究 : 実用線材化への有効性とナノデザインの可能性
- 人工ピンを導入したYBCO線材の磁場中特性 (その3) : 2種混合ターゲット法による成膜検討
- PLD法によるIBAD基板上の第二中間層の配向性の改善
- カーボンナノチューブの発見と高分解能電子顕微鏡
- 電子線ホログラフィーによるシリコン内極微量ドーパント分布の2次元解析と半導体産業への活用
- 電子線ホログラフィーによるシリコンデバイス中ドーパント分布の2次元解析(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)
- 28aXC-9 電子線振幅分割多波干渉における位相情報
- 22aYH-12 電子線多波干渉における位相情報の現れ方
- 銅配向基板を用いたYBa_2Cu_3O_超電導線材の微細構造観察
- リチウム電池材料研究に貢献するナノ構造解析と理論計算
- YBCO線材のためのCeO_2中間層の検討
- 最先端の研究現場から : COEを目指す研究機関JFCC(財団法人ファインセラミックスセンター)
- 透過型電子顕微鏡-収差補正ABF-STEM法によるリチウム二次電池材料中のリチウム原子列の直接観察
- FIBを用いたTEM試料作製技術
- その場透過型電子顕微鏡法による圧電単結晶中ナノドメインの分極反転直接観察
- リラクサ系圧電単結晶中ナノドメインの電界に対する応答
- 27pKA-11 PMN-PTにおける強誘電ナノドメインの構造解析(誘電体(マルチフェロイック,リラクサ),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))