2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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概要
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深紫外発光ダイオード(深紫外LED)市場の拡大が予想されていることから,我々は,深紫外LEDの低コスト化を目指し,2インチ×3枚対応型MOCVD装置を用いた,260nm帯AlGaN系深紫外LEDの開発に取り組んできた.アンモニアパルス多段成長法を採用し,c面サファイア基板上に,Al(+C)極性,かつ,貫通転位密度が低い,膜厚4μmのAlNテンプレート作製に成功したことで,このテンプレート上に形成されたLEDからは,発光波長,及び出力が,2インチウエハ面内,及び全3ポケット内で,均一な発光が得られた.さらに,フリップチップ実装した深紫外LEDの光出力は,CW条件500mAで,17.1mWを,パルス条件1500mAで,40mWを達成し,外部量子効率(EQE)1%を実現した.
- 2011-11-10
著者
-
平山 秀樹
理研
-
平山 秀樹
理化学研究所
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所
-
美濃 卓哉
BEANSプロジェクト
-
高野 隆好
BEANSプロジェクト
-
椿 健治
BEANSプロジェクト
-
平山 秀樹
BEANSプロジェクト
-
野口 憲路
独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、crest
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
-
美濃 卓哉
理化学研究所:パナソニック電工株式会社
-
高野 隆好
理化学研究所
-
椿 健治
理化学研究所
-
野口 憲路
理化学研究所
-
美濃 卓哉
理化学研究所
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