m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

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概要

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m軸およびa軸オフ角0.15°のC面(0001)サファイア基板上の、MOCVDによるAlN結晶成長の特徴を比較調査した。m軸オフ角サファイア基板上のAlN表面にはマクロステップが生成し、a軸オフ角はマクロステップができないことが分かった。オフ角が小さければa軸オフ角ではマクロステップができないことはすでに知られているが、m軸オフ角のマクロステップについてはあまりよく知られていない。また、このように作製したAlN テンプレート上にMOCVD法を用いて、高効率AlGaN深紫外LEDを作製した。ピーク波長は、a軸オフが270nmとm軸オフが277nmであった。また、最高EQEはそれぞれ3.8%と3.2%であった。
2011-11-10

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