2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発 (レーザ・量子エレクトロニクス)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2011-11-17

著者

• 平山 秀樹

  BEANSプロジェクト

関連論文

• Si基板上高品質AlNテンプレートの開発
• 250-350nm帯AlGaN系紫外高輝度LEDの開発 (特集 LED照明の最近の動向)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価
• AlGaN系深紫外LEDの進展と展望
• 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
• AlGaN系深紫外LED
• 窒化物材料系テラヘルツ帯量子カスケードレーザーの開発
• 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• テラヘルツ量子カスケードレーザの進展と今後の展望(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• GaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作製と自然放出光の観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作製と自然放出光の観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作製と自然放出光の観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み (レーザ・量子エレクトロニクス)
• AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み (電子デバイス)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク