多孔質シリコンの可視発光特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Time-integrated and time-resolved luminescence spectra of porous Si have been measured. The time-resolved luminescence spectra show a red shift as the delay time increases. The decay curve is non-exponential and its rate depends upon the excitation intensity. These properties are similar to those observed in amorphous Si : H. Thus it is cocluded that the luminescence is associated with states which are analogous to the band-tail states in amorphous Si : H. These states are probably conduction and valence sublevels in Si microstructures.
- 理化学研究所の論文
著者
関連論文
- InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- レーザー単原子層成長法による成長層の特性評価
- GaAs/GaAlAs量子井戸細線からの発光の過渡特性
- 27aYG-11 CdS微粒子分散ガラスの熱ルミネセンス
- 科学セミナーに参加して(会員の声)
- シンポジウムの報告を読んで(会員の声)
- 28aXS-2 光とX線を照射したCdS微粒子分散ガラスの熱ルミネセンス(微粒子・ナノ結晶)(領域5)