多孔質シリコンの可視発光特性
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概要
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Time-integrated and time-resolved luminescence spectra of porous Si have been measured. The time-resolved luminescence spectra show a red shift as the delay time increases. The decay curve is non-exponential and its rate depends upon the excitation intensity. These properties are similar to those observed in amorphous Si : H. Thus it is cocluded that the luminescence is associated with states which are analogous to the band-tail states in amorphous Si : H. These states are probably conduction and valence sublevels in Si microstructures.
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