原子層堆積Al_2O_3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSHFETの作製

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2012-03-07

著者

• 岸本 茂

  名古屋大学工学研究科

• 水谷 孝

  名古屋大学工学研究科

• 宮崎 英志

  名古屋大学工学研究科

• 水谷 孝

  名古屋大学

• 岸本 茂

  名古屋大学

• 宮崎 英志

  名古屋大学

• 岸本 茂

  名大院工

関連論文

• 20aTC-12 カーボンナノチューブのフォトルミネッセンス強度のカイラリティ依存性(20aTC ナノチューブI,領域7(分子性固体・有機導体))
• ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 24pWB-8 カーボンナノチューブエレクトロニクスにおける環境効果(カーボンナノチューブ研究開発における「ブレークスルー」のために今何が必要か?,シンポジウム,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aRC-8 カーボンナノチューブのフォトルミネッセンスにおける環境効果(ナノチューブ(光物性),領域7,分子性固体・有機導体)
• AlNセラミック基板上への微小AlGaAs/GaAs HEMTブロックのアセンブル(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• 27aUA-1 カーボンナノチューブの蛍光の環境効果 : カイラリティ依存性(27aUA ナノチューブ光物性I,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pUB-7 カーボンナノチューブFETの現状と将来(29pUB 領域7シンポジウム:分子性半導体素子の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
• CS-6-5 カーボンナノチューブFETの伝導型制御と電極界面特性(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
• C-10-10 Fluidic Assemblyを用いたSi基板上へのInGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの直接集積(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• 異種基板上への半導体デバイスの直接集積(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
• フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価
• 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• HfO2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析 (マイクロ波)
• 電子線露光技術を用いた電子波干渉トランジスタの作製とその評価
• GaN ELO結晶上微小ショットキー接合の電気特性評価
• HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション : HfO_2/AlGaN界面の影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• HfO_2をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価・解析
• 微小半導体素子の自己整合配置(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
• フラーレン内包カーボンナノチューブFETの作製と評価
• ピエゾ素子を利用した大流量ガスバルブの開発
• GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
• 電子線露光技術を用いた電子波干渉トランジスタの作製とその評価
• 共鳴トンネル素子を用いた極短パルス生成器とそのAlNセラミック基板上アンテナとの集積化(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• 共鳴トンネル素子を用いた極短パルス生成器とそのAlNセラミック基板上アンテナとの集積化(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
• 高出力化に適した共鳴トンネルペア発振器
• 高出力化に適した共鳴トンネルペア発振器(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
• 高出力化に適した共鳴トンネルペア発振器(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネル素子を用いた新しい発振器の構成(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
• 共鳴トンネル素子を用いた新しい発振器の構成
• p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• p-InGaN cap層を用いたノーマリオフ型AlGaN/GaN HEMTs(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析 (シリコン材料・デバイス)
• 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析 (電子デバイス)
• ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ALD成膜HfO_2ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MOSFETの作製・評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御とその応用(量子効果デバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御とその応用(量子効果デバイス及び関連技術)
• TC-1-5 共鳴トンネル素子を利用した超高周波カオス生成とその分周器への応用
• 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
• 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
• A-2-2 共鳴トンネル素子を用いた50GHzカオス集積回路
• C-10-14 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
• C-10-4 共鳴トンネルカオス回路を用いた50GHz分周期
• C-10-16 共鳴トンネルカオス回路を利用した分周器の高速動作
• 共鳴トンネル素子を用いたカオス生成回路とその分周器への応用
• 共鳴トンネル素子を用いたカオス生成回路とその分周器への応用
• C-10-16 共鳴トンネルカオス回路を用いた分周器における入力信号歪みの影響
• C-10-16 共鳴トンネルカオス回路を用いた新しい分周器
• HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• メタモルフィックInAlAs/InGaAs HEMTsの電気的特性評価
• メタモルフィック InAlAs/InGaAs HEMTsの電気的特性評価
• AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器(機能ナノデバイス及び関連技術)
• AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器(機能ナノデバイス及び関連技術)
• Fluidic Self-Assemblyのための共鳴トンネルデバイスブロック作製技術(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• C-10-2 Fluidic Self-Assemblyを用いたAlNセラミック上へのInGaAs/AlAs共鳴トンネルダイオードの集積(C-10.電子デバイス,一般講演)
• カーボンナノチューブ探針を用いた半導体表面のAFM・KFM測定
• カーボンナノチューブ探針を用いた半導体表面のAFM・KFM測定
• C-10-11 容量結合型共鳴トンネル論理ゲート C^2MOBILE の実験的検証
• C-10-2 対称型単安定-双安定転移論理素子SMOBILEの100GHz動作(C-10.電子デバイス,一般講演)
• A-2-23 共鳴トンネルカオス回路を用いた高速信号生成回路(A-2.非線形問題,基礎・境界)
• 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いたΔΣ型A/Dコンバータの構成(量子効果デバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いたΔΣ型A/Dコンバータの構成(量子効果デバイス及び関連技術)
• 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いたΔ〓型A/Dコンバータの構成
• 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEを用いたΔ〓型A/Dコンバータの構成
• C-10-12 共鳴トンネルカオス回路における高周波カオス制御(C-10.電子デバイス)
• C-10-11 共鳴トンネル素子とMOSFETを用いたMOBILEの可能性(C-10.電子デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTの電流DLTS
• Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• Si_3N_4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaN MIS-HEMT(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• SC-9-4 Fluidic Assembly 法を用いた微小デバイスブロックの配置技術
• SC-6-4 光学的手法によるGaN HEMTの動作解析
• GaN HEMTの高周波特性の温度依存性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• GaN HEMTの高周波特性の温度依存性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
• GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス(III族窒化物研究の最前線)
• 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEにおける入力用HEMTのゲート幅と動作速度の関係
• 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣADコンバータ
• 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣADコンバータ
• C-10-4 共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器のノイズシェーピング
• C-10-3 共鳴トンネル論理素子を用いたΔΣ型ADコンバータ
• C-10-2 共鳴トンネル論理ゲートMOBILEの回路パラメータ設計指針
• パターニングした金属触媒を用いたカーボンナノチューブの位置制御成長とFETの作製(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• パターニングした金属触媒を用いたカーボンナノチューブの位置制御成長とFETの作製(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• カーボンナノチューブの位置制御成長と電界効果型トランジスタの作製
• カーボンナノチューブの位置制御成長と電界効果型トランジスタの作製
• カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
• カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
• HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション : HfO_2/AlGaN界面の影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• HfO_2/AlGaN/GaN MOSFETのデバイスシミュレーション : HfO_2/AlGaN界面の影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク