光照射MOCVD法によるGaNP LED : エピキタシャル成長III
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概要
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GaNP LED was fabricated the electroluminescence (EL) property was investigated. The band edge-emission of 425nm was observed.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-07-01
著者
-
城川 潤二郎
古河電工(株)横浜研究所
-
吉田 清輝
古河電工横浜研究所
-
吉田 清輝
古河電工横浜研究所次世代技術センター
-
吉田 清輝
古河電気工業(株)
-
尾鍋 研太郎
東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻
-
尾鍋 研太郎
東京大学
-
吉田 清輝
古河電工(株)横浜研究所
-
伊東 義曜
古河電工(株)横浜研究所
-
白木 靖寛
東京大学
-
尾鍋 研太郎
東大
-
伊東 義曜
古河電気工業株式会社 横浜研究所
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