伊東 義曜 | 古河電気工業株式会社 横浜研究所

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概要

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関連著者

• 吉田 清輝

  古河電工横浜研究所

• 吉田 清輝

  古河電工横浜研究所次世代技術センター

• 伊東 義曜

  古河電気工業株式会社 横浜研究所

• 吉田 清輝

  古河電気工業(株)

• 吉田 清輝

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 伊東 義曜

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 城川 潤二郎

  古河電工(株)横浜研究所

• 李 江

  古河電工

• 李 江

  古河電気工業株式会社 横浜研究所 GaNプロジェクトチーム

• 城川 潤二郎

  古河電気工業株式会社横浜研究所

• 尾鍋 研太郎

  東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻

• 尾鍋 研太郎

  東京大学

• 白木 靖寛

  東京大学

• 尾鍋 研太郎

  東大

• 吉田 清輝

  古河電工(株)横浜研究所

• 伊東 義曜

  古河電工(株)横浜研究所

• 李 江

  古河電工(株)横浜研究所

• 和田 崇宏

  古河電工(株)横浜研究所

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  古河電工(株)横浜研究所

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著作論文

• GaNP SQWを用いた青色LED (窒化物・青色光半導体)
• 光照射MOCVD法によるGaNP LED : エピキタシャル成長III
• 光照射MOCVD法によるGaNP LED(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 光照射MOCVD法によるGaNP LED(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作
• MOCVD法によるGaN/Siの結晶成長 : エピキタシャル成長III
• 光照射MOCVD法によるGaNP成長と光学的評価 : エピタキシャル成長I

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