光照射MOCVD法によるGaNP成長と光学的評価 : エピタキシャル成長I
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概要
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GaNPs were grown at different growth temperatures using a photo-assisted MOCVD. After that GaNPs were annealed at different temperatures. These GaNPs were characterized by SIMS. Xray diffraction and photoluminescence measurement.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
-
城川 潤二郎
古河電工(株)横浜研究所
-
吉田 清輝
古河電工横浜研究所
-
吉田 清輝
古河電工横浜研究所次世代技術センター
-
伊東 義曜
古河電工横浜研究所
-
城川 潤二郎
古河電工横浜研究所
-
伊東 義曜
古河電気工業株式会社 横浜研究所
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