CS-9-5 Si基板上の高耐圧スイッチングGaNパワーデバイス開発(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-03-05
著者
-
佐藤 義浩
次世代パワーデバイス技術研究組合
-
吉田 清輝
古河電工横浜研究所
-
吉田 清輝
古河電工横浜研究所次世代技術センター
-
吉田 清輝
古河電気工業(株)
-
野村 剛彦
次世代パワーデバイス技術研究組合
-
加藤 禎宏
次世代パワーデバイス技術研究組合
-
加藤 禎宏
古河電工
-
野村 剛彦
古河電工横浜研究所半導体研究開発センター
-
岩見 正之
古河電工横浜研究所
-
佐藤 義浩
古河電工横浜研究所
-
加藤 禎宏
古河電工横浜研究所
-
池田 成明
古河電工横浜研究所
-
賀屋 秀介
古河電工横浜研究所
-
池田 成明
古河電工
-
賀屋 秀介
次世代パワーデバイス技術研究組合
-
池田 成明
次世代パワーデバイス技術研究組合
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