賀屋 秀介 | 次世代パワーデバイス技術研究組合
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概要
関連著者
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池田 成明
古河電工
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賀屋 秀介
次世代パワーデバイス技術研究組合
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加藤 禎宏
次世代パワーデバイス技術研究組合
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加藤 禎宏
古河電工
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池田 成明
次世代パワーデバイス技術研究組合
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古川 拓也
次世代パワーデバイス技術研究組合
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佐藤 義浩
次世代パワーデバイス技術研究組合
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李 江
古河電工
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加藤 禎宏
古河電工横浜研究所
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池田 成明
古河電工横浜研究所
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賀屋 秀介
古河電工横浜研究所
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池田 成明
古河電工 横浜研究所
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李 江
古河電工 横浜研究所
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野村 剛彦
次世代パワーデバイス技術研究組合
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野村 剛彦
古河電工横浜研究所半導体研究開発センター
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佐藤 義浩
古河電工横浜研究所
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賀屋 秀介
古河電工 横浜研究所
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吉田 清輝
古河電工横浜研究所
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吉田 清輝
古河電工横浜研究所次世代技術センター
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吉田 清輝
古河電気工業(株)
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神林 宏
古河電工 横浜研究所
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神林 宏
次世代パワーデバイス技術研究組合
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岩見 正之
古河電工横浜研究所
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古川 拓也
古河電工
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古川 拓也
古河電工 横浜研究所
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佐藤 義浩
古河電工 横浜研究所
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加藤 禎宏
古河電工 横浜研究所
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李 江
古河電工横浜研究所
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古川 拓也
古河電工横浜研究所
-
李 江
次世代パワーデバイス技術研究組合
著作論文
- CS-9-5 Si基板上の高耐圧スイッチングGaNパワーデバイス開発(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- Si基板上高出力AlGaN/GaN HFETにおけるVb/Ronの改善
- 4インチSi基板上高出力AlGaN/GaN HFETの開発
- 4インチSi基板上高出力AlGaN/GaN HFETの開発(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- Si基板上高出力GaN系電界効果トランジスタの開発 (小特集 パワー半導体結晶成長)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETにおける高濃度Cドーピングの影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETにおける高濃度Cドーピングの影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- Si基板上高出力GaN系電界効果トランジスタの開発