Si基板上高出力AlGaN/GaN HFETにおけるVb/Ronの改善
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概要
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- 2009-10-30
著者
-
池田 成明
古河電工 横浜研究所
-
李 江
古河電工 横浜研究所
-
加藤 禎宏
次世代パワーデバイス技術研究組合
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加藤 禎宏
古河電工
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加藤 禎宏
古河電工横浜研究所
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池田 成明
古河電工横浜研究所
-
賀屋 秀介
古河電工横浜研究所
-
古川 拓也
古河電工
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賀屋 秀介
古河電工 横浜研究所
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李 江
古河電工
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池田 成明
古河電工
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古川 拓也
次世代パワーデバイス技術研究組合
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賀屋 秀介
次世代パワーデバイス技術研究組合
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池田 成明
次世代パワーデバイス技術研究組合
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