GaAsP組成傾斜型ベースHBTの開発
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概要
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組成傾斜型GaAsPを、初めてベース層に用いたInGaPエミッタHBTを製作した。GaAsPの成長では、Pを添加してもGaAsと同様に高キャリア濃度までカーボンドーピングできることがわかり、ベース層に適用できることを見いだした。また、ガンメルプロットのコレクタ電流のターンオン電圧を比較してGaAsP/GaAsのバンド不連続を見積もったところ、ΔE_v:ΔE_Gが0.5よりも大きいことがわかった。さらに、電流増幅率および遮断数波数(f_T)どちらも傾斜型ベースHBTの方が上回ることを確認した。電流増幅率については、添加したPによる歪みによって、電流増幅率が大さな影響をうけることがわかった。また、f_Tより求めた全遅延時間を、GaAs均一ベースHBTと比較することにより、ベース内遅延時間の差を見積もり、べース内平均電子速度を算出した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-01-18
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