透過電子顕微鏡法による量子井戸レ-ザの評価
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 980nm InGaP クラッドレーザに於けるビームステアリング現象
- 光ファイバアンプ用高出力半導体レーザー
- GaAsP組成傾斜型ベースHBTの開発
- ラマン分光法による半導体表面温度の測定
- GaAsP組成傾斜型ベ-スHBTの開発
- MOCVD法によるInP系HBTの開発
- 化合物半導体電子デバイスのモデリングとシミュレ-ション
- 透過電子顕微鏡法による量子井戸レ-ザの評価
- 0.98μmアルミニウムフリ-InGaAs/InGaAsP/InGaP GRIN-SCHレ-ザの開発
- InGaAs/GaAs歪量子井戸レ-ザ