980nm InGaP クラッドレーザに於けるビームステアリング現象
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概要
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InGaPをクラッド層とする980nmレーザは、注入電流を増加させていくと、水平方向ビームが左右ヘシフトするビームステアリング現象が見られる。我々は、この現象を基板裏面からのエレクトロルミネッセンス(EL)観察により直接確認した。ビームステアリングを起こしたレーザは、ELが活性領域に沿って左右に周期的に分離し、この周期は、等価屈折率法を用いて求められる伝搬定数差でほぼ記述できることが判った。光導波路として高次モードのカットオフ条件を満たしたレーザは、この周期構造が消失し、同時にビームステアリングも抑制された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-17
著者
-
愛清 武
古河電気工業株式会社情報通信事業本部光デバイス開発部
-
愛清 武
古河電気工業 情報通信事業本部光デバイス開発部第二課
-
粕川 秋彦
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
粕川 秋彦
古河電工
-
佐々木 康真
古河電気工業株式会社 横浜研究所
-
佐々木 康真
古河電工 (株) 横浜研究所
-
粕川 秋彦
古河電工 (株) 横浜研究所
-
大久保 典雄
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
池上 嘉一
古河電気工業株式会社情報通信事業本部光デバイス開発部
-
二ノ宮 隆夫
古河電工(株)横浜研究所
-
大久保 典雄
古河電工 横浜研究所
-
池上 嘉一
古河電工 横浜研究所
-
愛清 武
古河電工 横浜研究所
-
伊地知 哲朗
古河電工 横浜研究所
-
二ノ宮 隆夫
古河電工 横浜研究所
-
大久保 典雄
古河電気工業
-
伊地知 哲朗
古河電気工業株式会社情報通信事業本部光デバイス開発部
-
伊地知 哲朗
古河電気工業
-
池上 嘉一
古河電気工業
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