大久保 典雄 | 古河電工(株)横浜研究所

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概要

• 同名の論文著者
• 古河電工(株)横浜研究所の論文著者

関連著者

• 大久保 典雄

  古河電工(株)横浜研究所

• 伊地知 哲朗

  古河電気工業株式会社情報通信事業本部光デバイス開発部

• 伊地知 哲朗

  古河電気工業

• 池田 成明

  次世代パワーデバイス技術研究組合

• 二ノ宮 隆夫

  古河電工(株)横浜研究所

• 池田 成明

  古河電工(株)横浜研究所

• 池田 成明

  古河電工

著作論文

• GaAsP組成傾斜型ベースHBTの開発
• ラマン分光法による半導体表面温度の測定
• GaAsP組成傾斜型ベ-スHBTの開発
• MOCVD法によるInP系HBTの開発
• 化合物半導体電子デバイスのモデリングとシミュレ-ション
• 透過電子顕微鏡法による量子井戸レ-ザの評価
• 0.98μmアルミニウムフリ-InGaAs/InGaAsP/InGaP GRIN-SCHレ-ザの開発
• InGaAs/GaAs歪量子井戸レ-ザ

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