1.3μm GaInAsP/InP面発光レーザ
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概要
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1.3μm GaInAs/InP面発光レーザの特性向上を目指し、電流狭窄構造およびミラーの検討を行い、MOCVD埋込み成長て、<011>方向に対して、45゜に辺を持つ矩形メサが適していること、p側ミラーにSi/Al_2O_3ミラーが有効であることを見いだした。これを基にバルク活性層面発光レーザを作製し、低しきい値室温パルス発振(I_<th>=12 mA)および13℃までのCW発振を実現した。次いで、活性層の高利得化を検討し、活性層に多重量子井戸(MQW)および歪MQWを導入した面発光レーザを試作し、しきい値電流15 mAでの室温パルス発振(MQW,歪MQW共)、また7℃までのCW発振(MQW)を得た。
- 1995-12-08
著者
-
二ノ宮 隆夫
古河電工(株)横浜研究所
-
横内 則之
古河電気工業株式会社 横浜研究所
-
横内 則之
古河電工(株)横浜研究所
-
内山 誠治
古河電工(株)横浜研究所,RWCP光古河研究室
-
内山 誠冶
Rwcp光インターコネクション古河研究室
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