GalnAsP/InP光減衰器集積導波路型受光素子
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概要
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現在の受光モジュールの欠点の一つとして、大入力信号が入射したときの電気信号の歪みがある。本稿では、この歪みの低減のための入射光パワーを光領域で減衰し、受光領域からの出力信号レベルを一定にできる新しい導波路型受光素子の提案を行う。フランツケルディッシュ効果を用いた光減衰器と導波路型受光素子をモノリシック集積した光減衰器集積導波路型受光素子を作製し、受光感度、実効的な感度可変幅の検証を行った。その結果、光減衰動作を行わない時の受光感度は0.25A/Wであった。実効的な感度可変幅としては、光減衰領域に逆バイアスを32V印加した場合に11dBがえられた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-07-03
著者
-
横内 則之
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
山中 信光
古河電工(株) 横浜研究所
-
吉田 順自
古河電気工業株式会社
-
吉田 順自
ATR波動工学研究所
-
吉田 順自
古河電工(株)横浜研究所
-
横内 則之
古河電工(株)横浜研究所
-
山口 武治
古河電工(株)横浜研究所
-
山中 信光
古河電気工業株式会社横浜研究所
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