1.3μm帯InAsP系変調ドープレーザ
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概要
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長波長帯歪量子井戸レーザの更なる特性の向上を目的として、ガスソースMBE成長による、1.3μm帯InAsP系歪MQWレーザの特性に及ぼすn型とp型変調ドープ両方の効果を初めて調べた。n型変調ドープでは、共振器長1200μmにおいて250A/cm^2という非常に低いしきい値電流密度を達成し、室温CW駆動でしきい値電流0.9mAという非常に低い値を達成した。この値はガスソースを含めたMBE成長による長波長帯レーザの中で最も低い値である。n型MD-MQWによるしきい値電流とキャリアライフタイム両方の減少により、発振遅延時間は約30%減少した。また、5×10^<18>cm^-3ドープしたp型MD-MQWでは微分利得がアンドープMQWに比べて1.34倍になることを示し、また発振遅延時間も約20%小さくなるので、高速変調レーザ用材料として適していることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-07-09
著者
-
山中 信光
古河電工(株) 横浜研究所
-
粕川 秋彦
古河電工(株) 横浜研究所
-
向原 智一
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
粕川 秋彦
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
粕川 秋彦
古河電工
-
斉藤 要
古河電工(株)横浜研究所
-
熊田 浩仁
古河電工横浜研究所半導体研究センター
-
清水 均
古河電工(株)横浜研究所
-
向原 智一
古河電工(株)横浜研究所
-
熊田 浩仁
古河電工(株)横浜研究所
-
岩田 則広
古河電工(株)横浜研究所
-
山中 信光
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
岩井 則広
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
清水 均
古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター
-
岩井 則広
古河電気工業株式会社
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