n-InP/p-InP/MQW構造による量子井戸発光波長の短波長化
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概要
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量子井戸の新しい混晶化技術であるn-InP/p-InP/MQW構造による、量子井戸発光波長の短波長化に関して検討を行った。n-InP層の膜厚に応じて波長のシフトが見られ、最大波長シフト量は130meVと、1500nm発光の量子井戸が1300nmへの変化したものであった。また、膜構造形成後にアニールする事で、波長シフトが促進する現象も見出した。これらのメカニズムに関しては、n-InPとp-InPの両方の存在により、井戸/障壁間でV族原子(AsとP)の相互拡散が起きていることが確認でき、これに基づいた波長シフトであった。波長シフト後の量子井戸の光学的特性は、PLやレーザ特性から、シフト量100meV以下の場合、通常の量子井戸と遜色のない結果が得られており、この手法は、光デバイスの集積化に有効であることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-01-19
著者
-
粕川 秋彦
古河電気工業株式会社
-
粕川 秋彦
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
粕川 秋彦
古河電気工業(株)ファイテルフォトニクス研究所半導体デバイス開発部
-
粕川 秋彦
古河電工
-
荒川 智志
古河電気工業株式会社光技術研究所
-
山中 信光
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
荒川 智志
古河電気工業(株)横浜研究所
-
荒川 智志
古河電気工業株式会社 光技術研究所
-
井藤 光正
古河電気工業(株)横浜研究所
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