導波路型受光素子の実装許容度の構造依存性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
長波長帯の導波路型PIN受光素子は, 光双方向通信モジュールへの実装が容易, 高速, 他のデバイスとの集積化が可能などの特徴がある. 本研究では, 導波路の層構造, 材料を変えて試作し, 感度, 実装許容度, 暗電流がどのように変化するかを調べた. 1.3μm光に対して感度, 実装許容度が最大であるのは, 厚さ3μmのGaInAsP (波長1.4μm) の光吸収層の場合で, 感度は0.36A/W, 0.5dB低下の許容度は±2.3μmであった.暗電流が最も低いのは厚さ0.4μmのA1GaInAs (波長1.4μm) の光吸収帽の場合で, 20pA (逆バイアス-3V印加時) であった. このような良好の特性の導波路型受光素子は, 今後ますます利用されていくものと期待される.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-08-20
著者
-
西片 一昭
古河電工(株) 横浜研究所
-
平岩 浩二
古河電工(株) 横浜研究所
-
山中 信光
古河電工(株) 横浜研究所
-
岩井 則広
古河電工(株) 横浜研究所
-
粕川 秋彦
古河電工(株) 横浜研究所
-
粕川 秋彦
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
粕川 秋彦
古河電工
-
平岩 浩二
古河電気工業(株)半導体研究開発センター
-
西片 一昭
古河電工横浜研究所半導体研究センター
-
清水 均
古河電工(株)横浜研究所
-
山中 信光
古河電気工業株式会社横浜研究所
-
岩井 則広
古河電気工業(株)横浜研究所 半導体研究開発センター
-
清水 均
古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター
関連論文
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証
- 25GHz間隔波長モニタ内蔵高出力、Full C-band波長可変DFBレーザモジュール(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]25GHz間隔波長モニタ内蔵高出力、Full C-band波長可変DFBレーザモジュール(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- C-3-113 3 分岐ビームスプリッタを用いた広帯域波長モニタの開発
- SC-6-5 波長ロッカー内蔵, 高出力 DFB レーザモジュール : 固定波長, 波長可変
- 高信頼性,波長ロッカ内蔵40mW,25GHz x 20ch narrow thermally tunable DFB laser module
- SC-2-9 50GHz間隔波長モニタ内蔵40mW CW DFBレーザモジュール
- アナログ受光モジュール用導波路型受光素子
- 多チャンネル導波路型受光素子アレイ
- 850nm酸化型VCSELにおける横モード制御および温度特性向上
- C-4-2 850nm酸化狭窄型VCSEL10Gbps変調特性
- 高信頼性,波長ロッカ内蔵40mW,25GHz×20ch narrow thermally tunable DFB laser module
- 高信頼性,波長ロッカ内蔵40mW,25GHz x 20ch narrow thermally tunable DFB laser module
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証
- 短共振器DBR型波長可変レーザモジュールの高速波長ロッカー制御(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 低消費電力・高効率1060nm面発光レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 長波長帯VCSELの開発
- 光ファイバアンプ用高出力半導体レ-ザ-
- 導波路PDとトランスインピーダンスアンプを内蔵したSCレセプタクル型プラスチック受信モジュール
- モードフィールド変換レーザを有するプラスチックパッケージ型SCレセプタクル光モジュール
- 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 1.3μm帯GaInNAsSb/GaAs VCSELのKファクタの検証(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- SC-2-2 1300nm 帯 GaInNAsSb 系 VCSEL 及び 850nm 帯 10Gbps-VCSEL
- C-4-14 850nm VCSEL における 10Gbps 伝送の酸化アパーチャ依存性
- C-4-13 850nm 帯 VCSEL を用いた 12ch アレー
- 1300nm帯GaInAsSb VCSEL(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演]1300nm帯GaInAsSb VCSEL(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 980nm InGaP クラッドレーザに於けるビームステアリング現象
- フルCバンド波長可変DFB-LD搭載ITLAモジュールの開発(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- フルCバンド波長可変DFB-LD搭載ITLAモジュールの開発(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- フルCバンド波長可変DFB-LD搭載ITLAモジュールの開発(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- フルCバンド波長可変DFB-LD搭載ITLAモジュールの開発(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- C-4-13 Full C-band波長可変DFB-LD搭載ITLAモジュールの開発(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- GalnAsP/InP光減衰器集積導波路型受光素子
- GalnAsP/InP光減衰器集積導波路型受光素子
- 5p-T-10 In/Si(111)の等温、昇温脱離
- 6a-B4-2 低速電子線回折法によるSi(111) : Al吸着相の研究
- C-4-46 高信頼性ハイパワーDFBレーザ
- 多チャンネル導波路型受光素子アレイ
- 低コスト光モジュ-ル用導波路型受光素子の開発
- 高効率,低暗電流導波路型受光素子
- 導波路型受光素子の実装許容度の構造依存性
- 導波路型受光素子の実装許容度の構造依存性
- 1.5μm帯AlGaInAs系MQWレ-ザにおける高微分利得特性とキャリア輸送過程
- 光ファイバアンプ用高出力半導体レーザー
- IFVD窓構造による9xx nm高出力半導体レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- IFVD窓構造による9xx nm高出力半導体レーザ
- 半導体導波路によるモノリシック集積波長選択型波長可変光源におけるスペクトル線幅の狭線幅化(レーザ・量子エレクトロニクス)
- 光通信用長波長帯光半導体
- 3分岐ビームスプリッタ式波長モニター内蔵多ch可変レーザモジュールの開発(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 3分岐ビームスプリッタ式波長モニター内蔵多ch可変レーザモジュールの開発(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 3分岐ビームスプリッタ式波長モニター内蔵多ch可変レーザモジュールの開発(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- AllnAs選択酸化を用いたp型基板上の波長1.3μmレーザアレー
- 3分岐ビームスプリッタ式波長モニター内蔵多ch可変レーザモジュールの開発(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 波長可変光源の線幅特性の改善(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-20 1.3μm高性能酸化膜狭窄(ACIS)レーザ
- 1.3μm帯InAsP系変調ドープレーザ
- 1.3μm帯InAsP系変調ドープレーザ
- C-4-13 狭出射ビームGaInAsPレーザとモニタ用ディテクタ集積素子の反射鏡最適化
- AllnAs選択酸化を用いたp型基板上の波長1.3μmレーザアレイ
- WDM用高出力CW-DFBレーザ : S,C,Lバンドにおける高出力CW-DFBレーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎から応用,その他一般)
- IFVD窓構造による高出力高信頼性915nm半導体レーザ
- 製品技術紹介 次世代高速大容量通信用面発光レーザ
- レーザー
- 直接接着法によるGaAs基板上の波長1.3μmレーザ
- 直接接着法を用いたGaAs基板上の波長1.3μmレ-ザの開発
- 1.3μm帯 GaInAsP/InP 引張歪量子井戸レーザ
- TDR 反射鏡を用いた波長 1.3μm 高温特歪量子井戸レーザ
- 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ
- 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ
- 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ
- 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ
- n-InP/p-InP/MQW構造による量子井戸発光波長の短波長化
- n-InP/p-InP/MQW構造による量子井戸発光波長の短波長化
- n-InP/p-InP/MQW構造による量子井戸発光波長の短波長化
- n-InP/p-InP/MQW構造による量子井戸発光波長の短波長化
- ファイバーアンプ励起用高出力半導体レーザー
- 3-14 古河電工における歴史に残すべき技術 : 光ファイバと励起レーザ (3. 企業や研究機関等ごとの歴史に残すべき技術) (電子情報通信分野の歴史に残すべき技術 : 産業界を中心として)
- 光ファイバアンプ励起用半導体レーザ--ポンプレーザの最新技術 (特集 半導体レーザの最新動向)
- EDFA励起用高出力半導体レーザ
- TDR反射鏡を用いた波長1.3μm高温特歪量子井戸レーザ
- TDRミラ-を用いた高温度特性歪量子井戸レ-ザの開発
- MOCVD法による長波長帯GRIN-SCH-MQWレ-ザ
- 光通信用長波長半導体レ-ザの開発
- 1.3μm帯極低しきい値InAsP/InP変調ドープMQWレーザ
- ガスソ-スMBE法による長波長帯材料の結晶成長とその半導体レ-ザへの応用
- 光インターコネクション向け高信頼性1060nm帯面発光レーザにおける低電力損失特性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- n-InP/p-InP/MQW構造による量子井戸発光波長の短波長化
- CI-1-4 高信頼・低消費電力1060nm帯面発光レーザ(CI-1.光能動デバイス・装置を支える信頼性・安全性技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- 1060nm VCSELの高速変調動作と信頼性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-17 1.55μm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 光インターコネクション向け1060nm帯面発光レーザー(VCSEL)における信頼性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 光インターコネクション向け1060nm帯面発光レーザー(VCSEL)における信頼性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 光インターコネクション向け1060nm帯面発光レーザー(VCSEL)における信頼性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 光インターコネクション向け1060nm帯面発光レーザー(VCSEL)における信頼性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 光インターコネクション向け1060nm帯面発光レーザー(VCSEL)における信頼性(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 1550nm AlGaInAs埋込構造を有するDFBアレイ集積型波長可変光源(半導体レーザ関連技術,及び一般)